[发明专利]一种NAND闪存芯片及其棋盘格检查时的芯片编程方法

权利要求书

1.一种NAND闪存芯片，包括：主阵列、控制模块；

其特征在于，还包括：

内置样本生成器；

所述控制模块用于当要进行棋盘格检查时，指示所述内置样本生成器生成进行芯片编程所需的序列；待所述内置样本生成器生成序列后，发起编程执行命令，将所述序列从所述内置样本生成器传送到所述主阵列中进行编程。

2.如权利要求1所述的NAND闪存芯片，其特征在于，还包括：

内置自动验证器；

所述控制模块还用于当芯片编程完成后，将主阵列中的数据逐页读出传送到所述内置自动验证器；

所述内置自动验证器用于对接收到的数据进行验证。

3.如权利要求1或2所述的NAND闪存芯片，其特征在于：

所述内置样本生成器生成的序列包括第一、第二序列；所述第一、第二序列均为表示高、低电平的数值交替出现的序列，其中第一序列中的第一个数值为表示低电平的数值，第二序列中的第一个数值为表示高电平的数值；也就是说，第一、第二序列互为反序列；

所述控制模块将所述序列从所述内置样本生成器传送到所述主阵列中进行编程是指：

所述控制模块将所述内置样本生成器所生成的第一序列、第二序列中的一个序列用一个编程指令传送到闪存主阵列中所有单数的页中，将所述第一序列、第二序列中的另一个序列用一个编程指令传送到主阵列中所有双数的页中。

4.一种NAND闪存芯片棋盘格检查时的芯片编程方法，包括：

当要进行棋盘格检查时，在芯片内部生成进行芯片编程所需的序列；

生成序列后，发起编程执行命令，将所生成的序列传送到芯片的主阵列中进行编程。

5.如权利要求4所述的芯片编程方法，其特征在于，还包括：

当芯片编程完成后，将主阵列中的数据逐页读出；

在芯片内部对所读出的数据进行验证。

6.如权利要求4或5所述的芯片编程方法，其特征在于：

所生成的序列包括第一、第二序列；所述第一、第二序列均为表示高、低电平的数值交替出现的序列，其中第一序列中的第一个数值为表示低电平的数值，第二序列中的第一个数值为表示高电平的数值；也就是说，第一、第二序列互为反序列；

所述将所生成的序列传送到芯片的主阵列中进行编程的步骤包括：

将所生成的第一序列、第二序列中的一个序列用一个编程指令传送到闪存主阵列中所有单数的页中，将所述第一序列、第二序列中的另一个序列用一个编程指令传送到主阵列中所有双数的页中。

7.一种NAND闪存芯片，包括：主阵列、控制模块；

其特征在于，还包括：

内置自动验证器；

所述控制模块用于当芯片编程完成后，将所述主阵列中的数据逐页读出传送到所述内置自动验证器；

所述内置自动验证器用于对接收到的数据进行验证。

8.如权利要求1所述的NAND闪存芯片，其特征在于，还包括：

内置样本生成器；

所述控制模块还用于当要进行棋盘格检查时，指示所述内置样本生成器生成进行芯片编程所需的序列；待内置样本生成器生成序列后，发起编程执行命令，将所述序列从所述内置样本生成器传送到所述主阵列中进行编程。

9.如权利要求8所述的NAND闪存芯片，其特征在于：

所述内置样本生成器生成的序列包括第一、第二序列；所述第一、第二序列均为表示高、低电平的数值交替出现的序列，其中第一序列中的第一个数值为表示低电平的数值，第二序列中的第一个数值为表示高电平的数值；也就是说，第一、第二序列互为反序列；

所述控制模块将所述序列从所述内置样本生成器传送到所述主阵列中进行编程是指：

所述控制模块将所述内置样本生成器所生成的第一序列、第二序列中的一个序列用一个编程指令传送到闪存主阵列中所有单数的页中，将所述第一序列、第二序列中的另一个序列用一个编程指令传送到主阵列中所有双数的页中。

10.一种NAND闪存芯片棋盘格检查时的芯片编程方法，包括：

当芯片编程完成后，将主阵列中的数据逐页读出；

在芯片内部对所读出的数据进行验证。