[发明专利]装载单元以及处理系统

说明书

技术领域

本专利申请基于2011年4月7日提交的日本申请、亦即日本特愿2011-085205主张优先权。上述申请的所有公开内容均通过引用而作为本说明书的一部分。

背景技术

本发明涉及对半导体晶片等基板进行热处理的处理系统以及在该处理系统中使用的装载单元。

一般来说，为了制造IC、LSI等半导体集成电路，对半导体晶片等基板实施成膜处理、氧化扩散处理、蚀刻处理、退火处理、硅氧化膜形成处理、烧结处理等各种热处理。为了一次对多个基板进行处理，例如，如专利文献1～5等所示，使用立式的分批式热处理装置。

在该热处理装置中，利用升降机构使载置有多个、例如约100～150个由半导体晶片构成的基板的晶舟从位于立式的石英制处理容器的下方的惰性气体氛围的装载室朝立式的石英制处理容器内上升而进行装载(插入)，进而，利用带O型圈的帽对处理容器的下端的开口部进行密闭，在密闭后的处理容器内进行成膜处理等热处理。进而，在进行热处理之后，卸载(下降)上述晶舟，并进行移载，以便替换处理完毕的基板和未处理的晶片。进而，重复进行与上述热处理相同的热处理。

为了使上述晶舟升降，使用设置在上述装载室内的晶舟升降机，并且，利用设置在上述装载室内的移载机构进行基板的移载。

专利文献1：日本特开平02-130925号公报

专利文献2：日本特开平06-224143号公报

专利文献3：日本特开2001-093851号公报

专利文献4：日本特开2007-027772号公报

然而，在进行上述热处理的期间，如上所述，处理容器的下端的开口部由帽密闭，进而，为了提高密封性，在热处理过程中，利用升降机构以规定的力继续进行推压。

在该情况下，在升降机构施加有包含基板在内的晶舟的载荷和施加于帽的内部压力这两方的载荷，特别是在进行烧结处理等大气压以上的高工序压力下的处理的情况下，上述载荷非常大，与此相应，需要强化升降机构的构造，并且需要增大驱动马达的能力，存在导致装置成本增大之类的问题。

特别是在最近，为了进一步提高半导体集成电路的生产效率，希望基板的直径也进一步大口径化，例如，谋求将基板的直径从300mm扩大至450mm。如此，当基板的直径增大时，包含保持有150个基板的晶舟等在内的载荷达到约400kg，并且对处理容器的开口部进行封闭的帽的面积也增大，因此，在进行大气压以上的高工序压力的热处理的情况下，与帽面积的增大量相应地，朝向下方向的载荷进一步增大，存在会招致因升降机构的强度提高而导致的高成本化之类的问题。

发明内容

本发明着眼于以上问题点，是为了有效地解决上述问题点而提出的。本发明涉及一种装载单元以及处理系统，除了使基板保持件升降的升降机构之外，为了对帽进行推压而设置具有压电致动器的推压机构，由此，能够避免增大升降机构的能力的必要性，能够抑制该升降机构的高成本化。

本发明的装载单元的特征在于，该装载单元保持对多个基板进行保持的基板保持件、和对基板保持件进行支承的帽，并使上述基板保持件与帽相对于下端开口、且由帽封闭的筒体状的处理容器升降，其中，上述装载单元具备：升降机构，该升降机构保持上述基板保持件和上述帽，并使上述基板保持件和上述帽升降；以及推压机构，该推压机构具有压电致动器，上述推压机构是为了将位于上述处理容器的下端的开口部的上述帽朝上方推压而设置的。

如此，除了使基板保持件升降的升降机构之外，为了对帽进行推压而设置有具有压电致动器的推压机构，由此，能够避免增大升降机构的能力的必要性，能够抑制该升降机构的高成本化。

本发明的处理系统的特征在于，上述处理系统具备：处理单元，该处理单元对基板实施热处理；装载单元，该装载单元设置于上述处理单元的下方；以及贮存单元，该贮存单元与上述装载单元并列设置，并对收容有多个上述基板的基板容器进行收纳，上述装载单元保持对多个基板进行保持的基板保持件、和对基板保持件进行支承的帽，并使上述基板保持件和帽相对于下端开口、且由帽封闭的筒体状的处理容器升降，上述装载单元具备：升降机构，该升降机构保持上述基板保持件和上述帽，并使上述基板保持件和上述帽升降；以及推压机构，该推压机构具有压电致动器，上述推压机构是为了将位于上述处理容器的下端的开口部的上述帽朝上方推压而设置的。

根据本发明所涉及的装载单元以及处理系统，能够以下述方式发挥优异的作用效果。