[发明专利]浮栅的制作方法

权利要求书

1.一种浮栅的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上依次沉积栅氧和第一多晶硅；

在第一多晶硅上沉积氮化硅；

刻蚀氮化硅形成沟槽，所述沟槽的底部暴露出第一多晶硅；

各向同性刻蚀沟槽内部分深度的第一多晶硅，使刻蚀后的第一多晶硅表面形成一坡面；

在沟槽内进行离子注入，在衬底中形成第一注入区；

在上述结构表面沉积第一氧化层；

湿法刻蚀去除一部分第一氧化层；

刻蚀第一氧化层，在沟槽内壁上形成第一侧墙，所述第一侧墙的底部连接至所述坡面，所述第一侧墙的顶部与氮化硅顶部相连；

以所述第一侧墙为掩蔽，刻蚀去除沟槽内暴露出的第一多晶硅和栅氧；

在上述结构表面沉积第二氧化层；

刻蚀第二氧化层，在沟槽内形成第二侧墙，所述第二侧墙形成于第一侧墙、第一多晶硅和栅氧的侧面，所述第二侧墙的顶部与第一侧墙的底部相连，所述第二侧墙的底部与衬底相连。

2.根据权利要求1所述的浮栅的制作方法，其特征在于：在沉积氮化硅之前还包括形成浅沟槽隔离结构的步骤。

3.根据权利要求2所述的浮栅的制作方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的形成包括以下步骤：

刻蚀第一多晶硅、栅氧和衬底形成浅沟槽；

填充浅沟槽形成浅沟槽隔离结构。

4.根据权利要求1所述的浮栅的制作方法，其特征在于：所述第一氧化层和第二氧化层为氧化硅。

5.根据权利要求1所述的浮栅的制作方法，其特征在于，在所述刻蚀第二氧化层形成第二侧墙后还包括以下步骤：

对沟槽进行源端离子注入，形成第二注入区；

沉积第二多晶硅，化学研磨至氮化硅；

热氧化第二多晶硅；

去除氮化硅；

刻蚀去除第一多晶硅和栅氧，仅保留第一侧墙下方的第一多晶硅和栅氧构成浮栅。