[发明专利]发光二极管元件

权利要求书

1.一种发光二极管元件，包含：

基板，具有第一表面；

多个发光二极管单元，形成在该第一表面上，任一该些发光二极管单元包含：

第一半导体层；

第二半导体层，形成在该第一半导体层上；以及

活性层，形成在该第一半导体层与该第二半导体层之间；

其中每一该些发光二极管单元包含一上表面，该上表面包含一水平侧边；以及

第一组群导电配线结构，包含彼此完全分离的多个导电配线结构，形成在该些发光二极管其中之一发光二极管单元的该水平侧边上；

其中该些导电配线结构其一端分别具有一第一延伸部形成在该发光二极管单元的该第二半导体层上，直接接触该发光二极管单元的该第二半导体层，并通过该第二半导体层彼此电性连结；

该些导电配线结构其另一端分别具有一第二延伸部形成在该些发光二极管单元其中相邻另一发光二极管单元上，直接接触相邻该另一发光二极管单元所包含的该些半导体层其中之一；

该些导电配线结构分别还具有一跨接部，位于该第一延伸部及该第二延伸部之间，且该跨接部的宽度大于该第一延伸部及该第二延伸部的宽度。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中，还包含第三半导体层，形成于该第二半导体层与该活性层之间。

3.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该第二半导体层为一金属氧化物。

4.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该第二半导体层与该第一半导体层具有不同的导电特性。

5.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该第二半导体层为单一的金属氧化物，

其中，形成在该单一金属氧化物上的该些导电配线结构的间距小于100微米(μm)。

6.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中每一该发光二极管单元具有一垂直侧边，该垂直侧边的边长小于150微米(μm)。

7.如权利要求1所述的发光二极管元件，还包含第二组群导电配线结构；以及该上表面还包含另一水平侧边；

其中该第二组群导电配线结构形成在该发光二极管单元的该另一水平侧边上。

8.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中第一延伸部及该第二延伸部的长度不同。

9.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该些导电配线结构的延伸方向与一电流自该发光二极管单元流至相邻的该另一发光二极管单元的方向相同。

10.一种发光二极管元件，包含：

基板，具有第一表面；

多个发光二极管单元，形成在该第一表面上，任一该些发光二极管单元包含：

第一半导体层；

第二半导体层，形成在该第一半导体层上；

活性层，形成在该第一半导体层与该第二半导体层之间；及

第一侧边，边长为a微米(μm)；以及

多个导电配线结构，彼此完全分离，形成在该些发光二极管单元中其中之一发光二极管单元的该第一侧边上；

其中，该第一侧边设置有至少(a/100)-1个该些导电配线结构；

其中该些导电配线结构其一端分别具有一第一延伸部形成在该发光二极管单元的该第二半导体层上，其另一端分别具有一第二延伸部形成在该些发光二极管单元其中相邻另一发光二极管单元上，以及一跨接部，位于该第一延伸部及该第二延伸部之间，且该跨接部的宽度大于该第一延伸部及该第二延伸部的宽度。