[发明专利]一种热板和用于该热板的晶圆自定位装置及方法有效
申请号: | 201210081772.3 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN103367213A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 陈蕾;胡林;鲍晔;周孟兴 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 定位 装置 方法 | ||
1.一种用于热板的晶圆自定位装置,其特征在于,
所述晶圆自定位装置包含在热板(10)上设置的多个挡片(11);每个挡片(11)能够绕其与所述热板(10)连接的支点进行转动,从而改变该挡片(11)与热板(10)的上表面之间的夹角θ;
多个所述挡片(11)在所述热板(10)的上表面围成一个限位空间(12);所述限位空间(12)的形状尺寸,与传送到所述热板(10)上准备进行热处理的晶圆(20)的形状尺寸相匹配;
传送时位置发生偏差的晶圆(20),会遮挡热板(10)上的其中若干个挡片(11);当被遮挡的若干个挡片(11)转动一定角度时,会与偏离的晶圆(20)相接触,从而产生合力将偏离的晶圆(20)推送到所述限位空间(12)内。
2.如权利要求1所述用于热板的晶圆自定位装置,其特征在于,
所述晶圆自定位装置中包含的至少三个所述挡片(11),在所述热板(10)上形成一个圆形的限位空间(12);
设每个所述挡片(11)上靠近所述限位空间(12)圆点的一端为第一端,所述挡片(11)上远离限位空间(12)圆点的一端为第二端,则所述挡片(11)的第一端到第二端是沿径向布置的;
其中,所述挡片(11)的第一端,设置在所述限位空间(12)的边缘位置,并且,所述挡片(11)的第一端与所述热板(10)形成可转动连接;所述挡片(11)的第二端是活动端,能够使得该挡片(11)的第二端绕其第一端进行转动。
3.如权利要求2所述用于热板的晶圆自定位装置,其特征在于,
多个所述挡片(11)在所述限位空间(12)的周边均匀分布。
4.如权利要求2所述用于热板的晶圆自定位装置,其特征在于,
多个挡片(11)围成的所述限位空间(12)的内径,大于等于晶圆(20)直径的上限。
5.如权利要求1或2或4所述用于热板的晶圆自定位装置,其特征在于,
所述挡片(11)至少能够从水平布置的初始状态,转动到与所述热板(10)的上表面垂直的竖直位置;
即,在传送晶圆(20)的过程中,所述挡片(11)处在水平布置的初始状态时,该挡片(11)与热板(10)上表面之间的θ角为0°;当所述挡片(11)转动到与热板(10)上表面之间的θ角呈90°时,所述晶圆(20)被推送到所述限位空间(12)内。
6.如权利要求5所述用于热板的晶圆自定位装置,其特征在于,
在所述热板(10)的上表面上,为每个挡片(11)对应开设有凹槽(13);
所述挡片(11)在水平布置的初始状态时,嵌入在所述凹槽(13)内;并且,至少使嵌入凹槽(13)的挡片(11)的上表面,不高于所述热板(10)的上表面。
7.如权利要求1或2所述用于热板的晶圆自定位装置,其特征在于,
所有挡片(11)在晶圆(20)被传送到热板(10)之后一起转动。
8.如权利要求1或2所述用于热板的晶圆自定位装置,其特征在于,
所有挡片(11)中至少是被遮挡的若干个挡片(11),在晶圆(20)被传送到热板(10)之后一起转动。
9.一种热板,其通过安装如权利要求1所述的晶圆自定位装置,对传送到该热板(10)上准备进行热处理的晶圆(20)进行偏差位置的自定位调整,其特征在于,
所述热板(10)上设置有晶圆自定位装置,所述晶圆自定位装置进一步包含至少三个挡片(11);这些挡片(11)在所述热板(10)的上表面围成一个与晶圆(20)的形状尺寸相匹配的限位空间(12);
每个挡片(11)能够绕其与所述热板(10)连接的支点进行转动,从而使得该挡片(11)与热板(10)的上表面之间的夹角θ至少能够在大于等于0°且小于等于90°的范围内改变;所述挡片(11)的支点设置在所述限位空间(12)的边缘位置;
传送时位置发生偏差的晶圆(20),会遮挡热板(10)上的其中若干个挡片(11);当被遮挡的若干个挡片(11)转动时,会与偏离的晶圆(20)相接触,从而产生合力将偏离的晶圆(20)推送到所述限位空间(12)内;所述晶圆(20)即是在限位空间(12)内进行后续的热处理。
10.一种使用如权利要求1所述晶圆自定位装置,对传送到热板(10)上准备进行热处理的晶圆(20)进行偏差位置调整的自定位方法,其特征在于,
所述热板(10)上设置的至少三个挡片(11),在该热板(10)的上表面围成一个与晶圆(20)的形状尺寸相匹配的限位空间(12);每个挡片(11)能够绕其与所述热板(10)连接的支点转动,从而使得挡片(11)与热板(10)的上表面之间的夹角θ至少能够在大于等于0°且小于等于90°的范围内改变;所述挡片(11)的支点设置在所述限位空间(12)的边缘位置;
所述晶圆自定位方法,包含以下步骤:
步骤1、在初始状态时,控制所述挡片(11)水平布置,使挡片(11)与热板(10)上表面的夹角θ为0°;此时,将晶圆(20)传送到热板(10)上,则传送时位置发生偏差的晶圆(20),会遮挡其中的若干个挡片(11);
步骤2、当晶圆(20)被传送到热板(10)上以后,使得所有挡片(11)一起转动,或者至少使得被遮挡的挡片(11)一起转动;则被遮挡的挡片(11)在转动时,会与偏离的晶圆(20)相接触,并产生合力来推动偏离的晶圆(20);
步骤3、当所述挡片(11)转动到与热板(10)的上表面垂直的时候,也就是θ角为90°时,偏离的晶圆(20)被推送到限位空间(12)内,完成对晶圆(20)偏离位置的自定位调整;所述晶圆(20)即是在所述限位空间(12)内进行后续的热处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造