[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种发光二极管及其制造方法。

【背景技术】

随着科技的进步，人们对于发光装置的要求日益提高，不仅要求高发光效能，更要求低耗电量，因此发光二极管(LED)技术备受重视。发光二极管的优点在于发光效率高、反应时间快、使用寿命长以及不含汞等。除此之外，发光二极管还具有耐机械冲击、体积小、色域广泛等优点。因此，发光二极管便渐渐取代传统的发光装置。随着近年来发光二极管的快速发展，使发光二极管的应用领域大幅扩张，俨然成为21世纪的新型光源。

【发明内容】

本发明的一态样提供一种发光二极管，能使电极与半导体层之间形成良好的奥姆接触，降低组件操作电压。同时，发光二极管亦具有粗化表面，俾能提高发光二极管的光取出效率。

此发光二极管包含一承载基板、一半导体复合层以及一电极。其中，半导体复合层设置于承载基板上，且半导体复合层的上表面包含一图案化表面以及一平坦表面；以及电极设置于平坦表面上。

本发明的另一态样提供一种制造发光二极管的方法。根据本发明的一实施方式，此方法包含以下步骤：(a)形成一缓冲层于一基板上，基板的表面包含一图案化区域以及一平坦区域；(b)形成一半导体复合层于缓冲层上；(c)形成一承载基板于半导体复合层上；(d)将基板与缓冲层分离，使缓冲层上形成与图案化区域互补的一图案化表面以及与平坦区域互补的一第一平坦表面；(e)蚀刻第一平坦表面以形成一开口贯穿缓冲层，并于开口中的半导体复合层上形成一第二平坦表面；以及(f)形成一电极于第二平坦表面。

根据本发明的另一实施方式，制造发光二极管的方法包含以下步骤：(a)形成一缓冲层于一基板的一上表面，上表面包含一图案化区域以及一平坦区域；(b)形成一半导体复合层于缓冲层上；(c)形成一承载基板于半导体复合层上；(d)将基板与缓冲层分离，使缓冲层上形成与图案化区域互补的一图案化表面以及与平坦区域互补的一第一平坦表面；(e)移除缓冲层以及部分半导体复合层，使半导体复合层上形成与图案化表面对应的一第二图案化表面以及与第一平坦表面对应的一第二平坦表面；以及(f)形成一电极于第二平坦表面上。

本发明的再一态样提供一种用以形成发光二极管的基板，基板的表面具有一图案化区域及一平坦区域。

【附图说明】

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下：

图1绘示本发明一实施方式的发光二极管的剖面示意图。

图2绘示本发明另一实施方式的发光二极管的剖面示意图。

图3绘示本发明一实施方式的制造发光二极管的方法流程图。

图4A至4F绘示本发明一实施方式的制造发光二极管的方法的制程阶段剖面示意图。

图5绘示本发明另一实施方式的制造发光二极管的方法流程图。

图6A至6D绘示本发明另一实施方式的制造发光二极管的方法的制程阶段剖面示意图。

图7绘示本发明一实施方式的用以形成发光二极管的基板的剖面示意图。

图8绘示本发明另一实施方式的发光二极管的剖面示意图。

【主要组件符号说明】

100：发光二极管

102：基板

1021：表面轮廓

110：承载基板

115：半导体复合层

120：第一半导体层

122：p型包覆层

124：p型半导体层

130：主动层

140：第二半导体层

144：缓冲层

146：平坦表面

146a：平坦界面

146b：第一平坦表面

146c：第二平坦表面

147：图案化表面

147a：图案化界面

147b：第一图案化表面

147c：第二图案化表面

148：粗糙化表面

149、151：开口

150、152：电极

160：电流阻障区

170：反射层

180：保护层

300、500：方法

310、320、330、340、350、360、510、520、530、540、550、560：步骤

R1、R2：区域

【具体实施方式】