[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包含：

一承载基板；

一半导体复合层，设置于该承载基板上，其中该半导体复合层的上表面包含一图案化表面以及一平坦表面；以及

一电极，设置于该平坦表面上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该半导体复合层包含：

一电流阻障区，设置于该承载基板上；

一反射层，设置于该承载基板上且设置于该电流阻障区周围；

一第一半导体层，设置于该电流阻障区及该反射层上；

一主动层，设置于该第一半导体层上；以及

一第二半导体层，设置于该主动层上；

其中，该图案化表面及该平坦表面形成于该第二半导体层上，且该电极的垂直投影与该电流阻障区重叠或部分重叠。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该半导体复合层包含：

一电流阻障区，设置于该承载基板上；

一反射层，设置于该承载基板上且设置于该电流阻障区周围；

一第一半导体层，设置于该电流阻障区及该反射层上；

一主动层，设置于该第一半导体层上；

一第二半导体层，设置于该主动层上，该第二半导体层的表面具有一缓冲层，其中该图案化表面形成于该缓冲层上；以及

一开口，贯穿该缓冲层，以露出该第二半导体层的该平坦表面；

其中，该电极的垂直投影与该电流阻障区重叠或部分重叠。

4.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在于，该电流阻障区的面积大于或等于该电极的面积。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该图案化表面为一粗糙化表面。

6.一种制造发光二极管的方法，包含：

(a)形成一缓冲层于一基板上，该基板的表面包含一图案化区域以及一平坦区域；

(b)形成一半导体复合层于该缓冲层上；

(c)形成一承载基板于该半导体复合层上；

(d)将该基板与该缓冲层分离，使该缓冲层上形成与该图案化区域互补的一图案化表面以及与该平坦区域互补的一第一平坦表面；

(e)蚀刻该第一平坦表面以形成一开口贯穿该缓冲层，并于该开口中的该半导体复合层上形成一第二平坦表面；以及

(f)形成一电极于该第二平坦表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤(b)更包含下列步骤：

形成一第二半导体层于该缓冲层上；

形成一主动层于该第二半导体层上；

形成一第一半导体层于该主动层上；

形成一电流阻障区于该第一半导体层上；

形成一反射层于该第一半导体层上，且该反射层形成于该电流阻障区周围；

其中，该电流阻障区的垂直投影与该平坦区域重叠或部分重叠。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤(f)之前，更包含一粗化该图案化表面以形成一粗糙化表面的步骤。

9.一种制造发光二极管的方法，包含：

(a)形成一缓冲层于一基板的一上表面，该上表面包含一图案化区域以及一平坦区域；

(b)形成一半导体复合层于该缓冲层上；

(c)形成一承载基板于该半导体复合层上；

(d)将该基板与该缓冲层分离，使该缓冲层上形成与该图案化区域互补的一第一图案化表面以及与该平坦区域互补的一第一平坦表面；

(e)移除该缓冲层以及部分该半导体复合层，使该半导体复合层上形成与该图案化表面对应的一第二图案化表面以及与该第一平坦表面对应的一第二平坦表面；以及

(f)形成一电极于该第二平坦表面上。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，步骤(b)更包含下列步骤：

形成一第二半导体层于该缓冲层上；

形成一主动层于该第二半导体层上；

形成一第一半导体层于该主动层上；

形成一电流阻障区于该第一半导体层上；以及

形成一反射层于该第一半导体层上，且该反射层形成于该电流阻障区周围；

其中，该电流阻障区的垂直投影与该平坦区域重叠或部分重叠。