[发明专利]固体摄像器件和电子装置有效
申请号: | 201210074502.X | 申请日: | 2012-03-20 |
公开(公告)号: | CN102738187A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 出羽恭子;清水圭辅;小林俊之;木村望 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 电子 装置 | ||
相关申请的交叉参考
本申请包含与分别在2011年3月29日和2011年12月12日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2011-072177和JP 2011-271364所公开的内容相关的主题,因此将上述日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及包括透明电极的固体摄像器件、包括该固体摄像器件的电子装置以及包括透明电极的电子装置。
背景技术
以电荷耦合器件(CCD)图像传感器或者互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器为代表的固体摄像器件包括光电转换单元和电荷传输部,所述光电转换单元由形成于基板的光接收面侧的光电二极管构成。在这种固体摄像器件中,从光接收面侧入射的光由光电二极管进行光电转换,从而生成与光量相对应的信号电荷。然后,所生成的信号电荷被传输至电荷传输部并作为视频信号输出。
在这种器件中,由于采用了对在作为恒定时间间隔的曝光时间内入射的光进行光电转换和累积的结构,因此需要光电二极管对光接收面侧开放。这样,当在覆盖光电二极管的光接收面侧的区域内形成有电极时,有必要使所形成的电极由透明电极材料形成,而不是由具有遮光性能的一般的电极材料形成。
如JP-A-08-294059和JP-A-07-94699中所公开,在相关技术中主要使用铟锡氧化物(ITO)作为一般的透明电极的材料。另外,如JP-A-2011-17819中所公开,在以照相机为代表的电子装置中,存在这样的例子:在诸如孔径光阑(aperture diaphragm)或快门器件等摄像光学系统中,使用诸如电致变色层等光控制元件。即使在这种情况下,仍使用ITO作为用于向电致变色层施加期望电位的透明电极的材料。然而,在目前状态下,用作透明电极的材料的ITO具有低的透光率,并存在灵敏度下降的问题,并且由于大的膜厚度而会引起光学性能的变化。
发明内容
期望提供一种形成有透明电极、并能够解决透明电极的透射率下降以及由于膜厚度引起的光学性能变化的问题的固体摄像器件。另外,期望提供一种使用上述固体摄像器件的摄像装置和电子装置。
本发明的一个实施例提供了一种固体摄像器件,该固体摄像器件具有如下结构:基板;光电转换单元,其形成于所述基板上并且用于生成与入射光的光量相对应的信号电荷;以及透明电极,其形成于所述基板的形成有所述光电转换单元的上部,所述透明电极的材料是纳米碳材料并且具有多个开口。
在所述固体摄像器件中,通过使用具有多个开口的纳米碳材料作为所述透明电极,能够提高透光率。另外,由于纳米碳材料作为单层膜或多层膜而使用,因而膜厚度小并且能够降低光学特性的变化。
本发明的另一实施例提供了一种电子装置,其包括:光学透镜;会聚至所述光学透镜的光所入射至的固体摄像器件;以及对从所述固体摄像器件输出的输出信号进行处理的信号处理电路。另外,所述固体摄像器件包括基板、光电转换单元和透明电极,所述光电转换单元形成于所述基板上并且用于生成与入射光的光量相对应的信号电荷,所述透明电极形成于所述基板的上部并由纳米碳材料形成且具有多个开口。
根据所述电子装置,因为构成所述固体摄像器件的所述透明电极是通过使用具有开口的纳米碳材料构成,所以提高了透光率。因此,能够获得图像质量有所提高的电子装置。
本发明的又一实施例提供了一种电子装置,其包括:光学透镜;固体摄像器件,所述固体摄像器件包括基板和光电转换单元,所述光电转换单元形成于所述基板上并且用于生成与入射光的光量相对应的信号电荷;孔径光阑;以及信号处理电路,所述信号处理电路对从所述固体摄像器件输出的输出信号进行处理。所述孔径光阑布置在所述光学透镜与所述固体摄像器件之间的光学路径中,并对从所述光学透镜透射的光束进行调节。另外,所述孔径光阑由调光反应材料层以及第一透明电极和第二透明电极构成,所述调光反应材料层的透光率根据所施加的电压而变化,且所述调光反应材料层保持在所述第一透明电极和第二透明电极中间。此外,所述第一透明电极和所述第二透明电极中的至少一个由具有多个开口的纳米碳材料所形成的透明电极构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的