[发明专利]固体摄像器件和电子装置有效
申请号: | 201210074502.X | 申请日: | 2012-03-20 |
公开(公告)号: | CN102738187A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 出羽恭子;清水圭辅;小林俊之;木村望 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 电子 装置 | ||
1.一种固体摄像器件,其包括:
基板;
光电转换单元,其形成于所述基板上,并且用于生成与入射光的光量相对应的信号电荷;以及
透明电极,其形成于所述基板的上部,并且包括第一区域和第二区域,所述第一区域由纳米碳材料形成,所述第二区域与所述第一区域接触且所述第二区域的透光率高于所述第一区域的透光率。
2.根据权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述第二区域由间隙、石墨烯氧化物或透明聚合物材料形成。
3.根据权利要求1或2所述的固体摄像器件,其中,所述第二区域的直径小于单位像素的尺寸。
4.根据权利要求3所述的固体摄像器件,其中,所述第一区域的最窄部分的宽度大于10nm。
5.根据权利要求1或2所述的固体摄像器件,
其中,形成有用于对入射至所述基板的光入射侧的光的光量进行调节的调光层叠膜,并且
所述调光层叠膜由调光反应材料层以及将所述调光反应材料层夹在中间的第一透明电极和第二透明电极构成,所述调光反应材料层的透光率根据所施加的电压而变化,并且所述第一透明电极和所述第二透明电极中的至少一个使用由所述纳米碳材料形成的所述透明电极构成。
6.根据权利要求5所述的固体摄像器件,还包括:
从所述基板的光入射侧依次形成的滤色层和片上透镜,
其中,所述调光层叠膜相对于所述片上透镜布置在所述光入射侧。
7.根据权利要求5所述的固体摄像器件,还包括:
从所述基板的光入射侧依次形成的滤色层和片上透镜,
其中,所述调光层叠膜形成于所述基板与所述滤色层之间。
8.根据权利要求5所述的固体摄像器件,
其中,用于检测由所述光电转换单元生成的信号电荷的累积电荷检测电路与所述第一透明电极相连接,并且
基于由所述光电转换单元生成的信号电荷的电压被施加于所述第一透明电极。
9.根据权利要求5所述的固体摄像器件,其中,所述第一透明电极针对各预定像素分离地形成。
10.根据权利要求5所述的固体摄像器件,其中,所述调光层叠膜仅形成于与所述预定像素对应的所述光电转换单元的上部。
11.根据权利要求1或2所述的固体摄像器件,其中,所述透明电极由单层膜状纳米碳材料或多层膜状纳米碳材料构成。
12.根据权利要求1或2所述的固体摄像器件,其中,所述透明电极由多层膜状纳米碳材料构成,并且各层的所述第二区域布局为相互不面对。
13.根据权利要求1或2所述的固体摄像器件,其中,所述透明电极中形成的所述间隙仅形成于有效像素区域内,而不形成于黑基准像素区域内。
14.根据权利要求5所述的固体摄像器件,其中,所述调光反应材料层由电致变色材料构成。
15.根据权利要求5所述的固体摄像器件,其中,所述调光反应材料层由液晶层构成。
16.根据权利要求1或2所述的固体摄像器件,
其中,形成有光电转换层,所述光电转换层用于生成与入射至所述基板的光入射侧的入射光的光量相对应的信号电荷,并且
所述光电转换层由吸收预定波长的光的有机光电转换膜以及将所述有机光电转换膜夹在中间的第一透明电极和第二透明电极构成,并且所述第一透明电极和所述第二透明电极中的至少一个由纳米碳材料构成。
17.根据权利要求1或2所述的固体摄像器件,其中,所述纳米碳材料是石墨烯。
18.根据权利要求1或2所述的固体摄像器件,其中,对所述透明电极添加有期望的添加物。
19.一种电子装置,其包括:
光学透镜;
如权利要求1~18之任一项所述的固体摄像器件,并且会聚到所述光学透镜的光入射至所述固体摄像器件;以及
信号处理电路,其用于对从所述固体摄像器件输出的输出信号进行处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的