[发明专利]固体摄像装置、其制造方法以及电子装置无效
申请号: | 201210068661.9 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN102693997A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 东宫祥哲;大塚洋一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L31/18;H04N5/335;H04N5/225;H04N1/04 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 以及 电子 | ||
相关申请的交叉参考
本申请包含与2011年3月23日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2011-064301所公开的内容相关的主题,因此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及固体摄像装置、制造该固体摄像装置的方法以及电子装置。
背景技术
在相关技术中,作为在数码相机及摄像机中所用的固体摄像装置,存在CCD型的固体摄像装置及CMOS型的固体摄像装置。固体摄像装置通过以光感测部经由滤色器感测由微透镜所聚集的光来对成像目标进行成像。
近年来,例如,随着如数码相机及移动电话等安装有固体摄像装置的装置尺寸的减小,需要减小固体摄像装置的尺寸并增加其像素。然而,问题在于,当减小固体摄像装置的尺寸并增加其像素时,光感测部与微透镜之间的距离缩短,入射至光感测部的入射光减少,从而致使固体摄像装置的灵敏度降低。
因此,存在一种增加光感测部的入射光的方法,此种方法通过设置多个透镜来改变入射光的聚集位置,从而改善固体摄像装置的灵敏度(例如,参见未经审查的日本专利申请公开公报第04-233759号及第2009-224361号)。
在未经审查的日本专利申请公开公报第04-233759号及第2009-224361号中所述的方法是考虑入射至光感测部的光,但不考虑入射至滤色器的光。
当固体摄像装置的尺寸减小且光感测部与微透镜之间的距离缩短时,微透镜的焦距会缩短,且滤色器与光感测部之间的距离也会缩短。因此,入射光的聚集位置移动至滤色器侧。
在滤色器中添加有多种染料及颜料,以便具有特定的光谱特性。因此,当入射光的聚集位置如上所述移动至滤色器侧且因而使聚集的光入射至滤色器时,会因滤色器中所含的染料及颜料微粒的影响而产生例如图像粗糙等图像品质劣化现象。
发明内容
因此,期望提供一种能够抑制图像品质劣化的固体摄像装置及其制造方法。
此外,还期望提供一种包含所述固体摄像装置的电子装置。
根据本发明的实施例,提供一种固体摄像装置,其包括:像素,具有用于将入射光转换成电信号的光电转换部;滤色器,对应于像素形成;微透镜,用于将入射光经滤色器聚集至光电转换部;以及层间透镜,形成于滤色器与微透镜之间,且所具有的折射率小于微透镜的折射率。
在根据本发明实施例的固体摄像装置中,所具有的折射率小于微透镜的折射率的层间透镜包含于滤色器与微透镜之间。因此,经微透镜聚集的光通过层间透镜发散并入射至滤色器。
此外,根据本发明另一实施例,还提供一种制造所述固体摄像装置的方法,包括以下步骤:形成像素,所述像素具有用于将入射光转换成电信号的光电转换部;形成滤色器,所述滤色器对应于所述像素形成;形成n层(n≥1)的层间透镜,该层间透镜形成于所述滤色器与微透镜之间,且其所具有的折射率小于微透镜的折射率;以及形成微透镜,所述微透镜将入射光经所述滤色器聚集至所述光电转换部。
根据本发明再一实施例的电子装置包括上述固体摄像装置、光学透镜以及信号处理电路。
根据本发明的实施例,可抑制固体摄像装置及包括所述固体摄像装置的电子装置的图像品质的劣化。
附图说明
图1为显示本发明第一实施例的固体摄像装置的图;
图2为本发明第一实施例的固体摄像装置的剖视图;
图3为本发明第一实施例的固体摄像装置的剖视图;
图4A至图4E为本发明第一实施例的固体摄像装置的制造工艺图;
图5为本发明第一实施例的变形例的固体摄像装置的剖视图;
图6为本发明第二实施例的固体摄像装置的剖视图;
图7为本发明第二实施例的固体摄像装置的剖视图;
图8A至图8E为本发明第二实施例的固体摄像装置的制造工艺图;
图9为本发明第三实施例的固体摄像装置的剖视图;
图10为本发明第三实施例的固体摄像装置的剖视图;
图11为显示本发明第四实施例的固体摄像装置的图;
图12为本发明第四实施例的固体摄像装置的剖视图;
图13A和13B为本发明第四实施例的固体摄像装置的剖视图;
图14为本发明第四实施例的固体摄像装置的剖视图;以及
图15为显示本发明第五实施例的电子装置的图。
具体实施方式
第一实施例
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的