[发明专利]固体摄像装置、其制造方法以及电子装置无效
申请号: | 201210068661.9 | 申请日: | 2012-03-15 |
公开(公告)号: | CN102693997A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 东宫祥哲;大塚洋一 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L31/18;H04N5/335;H04N5/225;H04N1/04 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 以及 电子 | ||
1.一种固体摄像装置,包括:
像素,其具有用于将入射光转换成电信号的光电转换部;
滤色器,其对应于所述像素形成;
微透镜,其用于将所述入射光经所述滤色器聚集至所述光电转换部;以及
层间透镜,其形成于所述滤色器与所述微透镜之间,且所述层间透镜的折射率小于所述微透镜的折射率。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,
其中,所述微透镜与所述层间透镜均为凸透镜。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置,
其中,所述层间透镜包括多层的透镜,且越靠近所述滤色器的层的透镜其折射率越小。
4.一种固体摄像装置,包括:
像素,其具有用于将入射光转换成电信号的光电转换部;
滤色器,其对应于所述像素形成;
微透镜,其用于将所述入射光经所述滤色器聚集至所述光电转换部;以及
层间透镜,其形成于所述滤色器与所述微透镜之间,且所述层间透镜的折射率大于所述微透镜的折射率。
5.根据权利要求4所述的固体摄像装置,
其中,所述微透镜为凸透镜,而所述层间透镜为凹透镜。
6.根据权利要求5所述的固体摄像装置,
其中,所述层间透镜包括多层的透镜,且越靠近所述滤色器的层的透镜其折射率越大。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的固体摄像装置,
其中,所述层间透镜所具有的透镜直径小于所述微透镜的直径。
8.一种固体摄像装置,包括:
像素,其具有用于将入射光转换成电信号的光电转换部;
滤色器,其对应于所述像素形成;
微透镜,其用于将所述入射光经所述滤色器聚集至所述光电转换部;以及
n层的层间透镜,其形成于所述滤色器与所述微透镜之间,用于发散经所述微透镜聚集的所述入射光,并使所述入射光入射至所述光电转换部,其中n≥1。
9.根据权利要求1、2、3、4、5、6或8中任一项所述的固体摄像装置,
其中,所述像素、所述微透镜及所述层间透镜形成于基板上,且
设置于所述基板的周边的所述微透镜及所述层间透镜的中心被布置成在所述基板的中心方向上相对于对应像素的中心发生偏移。
10.根据权利要求9所述的固体摄像装置,
其中,所述滤色器布置成其中心在所述基板的中心方向上相对于对应像素的中心发生偏移。
11.根据权利要求9所述的固体摄像装置,
其中,所述层间透镜的中心相对于所述像素的中心偏移的量小于所述微透镜的中心相对于所述像素的中心偏移的量。
12.一种固体摄像装置,包括:
像素,其具有用于将入射光转换成电信号的光电转换部;
滤色器,其对应于所述像素形成;
微透镜,其用于将所述入射光经所述滤色器聚集至所述光电转换部;以及
层间透镜,其形成于所述滤色器与所述微透镜之间,且所述层间透镜发散经所述微透镜聚集的所述入射光。
13.一种制造固体摄像装置的方法,其包括以下步骤:
形成像素,所述像素具有用于将入射光转换成电信号的光电转换部;
形成滤色器,所述滤色器对应于所述像素形成;
形成n层的层间透镜,所述层间透镜形成于所述滤色器与微透镜之间,且所述层间透镜的折射率小于所述微透镜的折射率,其中n≥1;以及
形成微透镜,所述微透镜用于将所述入射光经所述滤色器聚集至所述光电转换部。
14.一种电子装置,包括:
固体摄像装置,其为权利要求1~12中任一项所述的固体摄像装置;
光学透镜,其用于将所述入射光引导至所述光电转换部;以及
信号处理电路,其用于处理所述电信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的