[发明专利]半导体器件侧墙空洞层结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210066519.0 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102610646A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹;周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 空洞 结构 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件侧墙空洞层结构，包括半导体衬底、栅极、介质层和接触孔，其特征在于，所述栅极的外侧设有空洞层，所述空洞层和所述栅极和半导体衬底之间设有SiO2层。
2.如权利要求1所述的半导体器件侧墙空洞层结构，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
3.如权利要求1所述的半导体器件侧墙空洞层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，在设有栅极的半导体衬底上沉积一层无定形碳层；
步骤2，自对准刻蚀形成无定形碳侧墙；
步骤3，进行源、漏极离子注入、高温退火，其中，光阻去除采用湿法去除；
步骤4，沉积介质层，随后采用化学机械研磨至栅极顶部，并直至无定形碳侧墙露出；
步骤5，进行灰化处理将无定形碳侧墙全部灰化干净，并继续灰化直至栅极和露出的硅表面形成一层SiO2层；
步骤6，快速填充介质层，使去除了无定形碳侧墙的部分仍然保留着孔隙；
步骤7，进行接触孔工艺。
4.如权利要求3所述的半导体器件侧墙空洞层结构的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
5.如权利要求3所述的半导体器件侧墙空洞层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的沉积采用化学气相法沉积。
6.如权利要求3所述的半导体器件侧墙空洞层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤1为先在设有栅极的半导体衬底上生长或沉积一层SiO2层，再沉积一层无定形碳层。
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