[发明专利]用于可释放地容纳半导体芯片的器件有效

申请号：	201210066400.3	申请日：	2012-03-14
公开（公告）号：	CN102680749A	公开（公告）日：	2012-09-19
发明（设计）人：	P.奥西米茨	申请（专利权）人：	英飞凌科技股份有限公司
主分类号：	G01R1/04	分类号：	G01R1/04
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司 72001	代理人：	王岳;卢江
地址：	德国瑙伊比***	国省代码：	德国;DE
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摘要：
搜索关键词：	用于释放容纳半导体芯片器件
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种用于可释放地容纳单片化半导体芯片的器件以及一种用于测试单片化半导体芯片的方法。

背景技术

在从半导体晶片中单片化半导体芯片之后，可以对每一个半导体芯片进行测试以便测量其质量和可靠性。所述测试可以包括老化（burn-in）测试，其中在测试包括在半导体芯片中的集成电路时将所述半导体芯片暴露于宽温度范围。此外，半导体芯片可以经受速度和/或功能测试，以便检查集成电路的性能。在测试期间，还可以测试设置在半导体芯片上的接触衬垫的质量。

附图说明

附图被包括以便提供对实施例的进一步理解并且被合并在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出了实施例并且与描述一起用来解释实施例的原理。将容易认识到其他实施例以及实施例的许多预期优点，因为它们通过参照下面的详细描述而变得更好理解。附图当中的元件不一定是相对于彼此按比例绘制的。相同的附图标记指代对应的类似部件。

图1示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构的器件的一个实施例的剖面图；

图2A-2C示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及延伸穿过所述支持结构以便产生真空用于暂时把半导体芯片固定就位的通道的器件的一个实施例的剖面图和平面图；

图3A-3B示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及延伸穿过所述支持结构以便产生真空从而对放置在半导体芯片上方的箔片施加力的多个通道的器件的一个实施例的剖面图；

图4A-4C示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及延伸穿过所述支持结构的多个通道的器件的一个实施例的平面图；

图5示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及所述支持结构中的多个开口的器件的一个实施例的平面图；

图6A-6I示意性地示出了支持结构和设置在所述支持结构上的弹性元件的实施例的平面图；

图7A-7D示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及连接到延伸穿过所述支持结构的通道的多个阀门的器件的一个实施例的平面图；

图8A-8E示意性地示出了用于可释放地容纳单片化小型半导体芯片的支持结构的制造方法的一个实施例；

图9示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的平板的器件的一个实施例的剖面图；

图10A-10C示意性地示出了用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的平板的实施例的平面图；

图11示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的单独平板的器件的一个实施例的剖面图；

图12示意性地示出了包括用于可释放地容纳单片化半导体芯片和两个箔片的支持结构以及设置在半导体芯片上方的平板的器件的一个实施例的剖面图；