[发明专利]一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法

权利要求书

1.一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

采用电阻率为0.008-0.100 Ω·cm的重掺杂的P型单晶硅片作为衬底，用RCA清洗工艺对硅片进行清洗，然后用氢氟酸去除硅片表面的氧化层；

在清洗好的P型单晶硅片上，采用ALD 的方法淀积生长Al₂O₃薄膜，作为存储器的电荷阻挡层，Al₂O₃薄膜的厚度为15-200nm；淀积过程中，衬底温度控制在100-300 ^oC之间；生长Al₂O₃的反应源为三甲基铝和水蒸气；

采用ALD的方法在Al₂O₃薄膜上淀积生长金属纳米晶作为电荷俘获层，淀积温度控制在100-400^oC之间；

采用ALD的方法，由下而上依次生长SiO₂、HfO₂、Al₂O₃薄膜，以形成SiO₂/HfO₂/Al₂O₃的叠层结构薄膜，作为存储器的隧穿氧化层；SiO₂、HfO₂和Al₂O₃ 和薄膜的淀积温度控制在100-300 ^oC之间，各单层薄膜的厚度均为1-10nm； 

采用ALD的方法，在隧穿氧化层上淀积IGZO薄膜，作为存储器的导电沟道；淀积温度控制在100-300^oC范围内，IGZO薄膜的厚度控制在10-120nm之间；

在IGZO薄膜上旋涂一层光刻胶，并利用光刻的方法形成被光刻胶保护的区域，该区域即为器件的有源区；然后，利用湿法刻蚀对非保护的IGZO薄膜进行刻蚀；刻蚀剂采用浓度为0.01%-2%的盐酸、硝酸、磷酸或氢氟酸，刻蚀时间为10-600s；最后，去除光刻胶，形成单个器件的有源区；

再旋涂一层光刻胶，利用光刻的方法在光刻胶上形成器件的源、漏极开孔区域；

通过电子束蒸发的方法淀积一层厚度为50-250nm的金属Al或Ag薄膜；

采用lift-off的方法去除光刻胶，形成器件的源、漏电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述的金属纳米晶为Pt纳米晶、Ru纳米晶或Pd纳米晶。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤（）中，原子层淀积IGZO薄膜采用三种金属有机源，分别为环戊二烯基铟、六－(二甲基胺)镓、二乙基锌，氧化剂采用水、氧气或臭氧。