[发明专利]用于减缓金属间化合物成长的方法

权利要求书

1.一种用于减缓金属间化合物成长的方法，其特征在于，包括步骤：

(i)制备一衬底元件，包括：

(i-1)在一衬底上电镀至少一金属垫层，

(i-2)在该金属垫层上电镀至少一薄焊料，接着进行热处理工艺，以制得一衬底元件；再镀上适当厚度的焊锡；以及

(ii)将此元件与另一元件作后续接合工艺，

其中，该薄焊料在经过高温热处理后，在覆晶对接之前，与金属垫层的金属反应形成一薄金属间化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该衬底为半导体芯片、硅芯片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该金属垫层的金属为铜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该焊料为无铅焊锡。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该薄焊料的厚度不超过4微米。

6.一种覆晶接合的结构，其特征在于，包括一衬底元件，该衬底元件含有：

一衬底，

至少一金属垫层，该金属垫层是电镀形成于该衬底上，

至少一薄焊料，该薄焊料是电镀于该金属垫层上；及经过热处理后，再镀上适当厚度的焊料；

其中，一衬底元件，经过热处理程序，所述薄焊料在接合之前与金属垫层的金属形成一连续层薄金属间化合物。

7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，该衬底为半导体芯片或硅芯片。

8.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，该金属垫层的金属为铜。

9.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，该焊料为无铅焊锡。

10.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，该薄焊料的厚度不超过4微米。