[发明专利]光刻胶去除方法、金属线刻蚀方法以及集成电路制造方法在审
| 申请号： | 201210061098.2 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102592991A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 彭精卫;王敬平 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 金属线 刻蚀 以及 集成电路 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻胶去除方法，其特征在于包括：
将带有光刻胶的硅片从刻蚀腔室转移至去胶腔室；
此后，在不点火的情况下在去胶腔室中通入氧气；
随后，点火开始去胶过程。
2.根据权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于，其中，在开始通入氧气并经过预定时间之后点火。
3.根据权利要求1或2所述的光刻胶去除方法，其特征在于，其中，在硅片上升到预定温度之后点火开始去胶过程。
4.根据权利要求1或2所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在点火之前在去胶腔室中通入氧气的步骤中，氧气的通入量为500-3500sccm。
5.一种采用了根据权利要求1至4之一所述的光刻胶去除方法的金属线刻蚀方法。
6.一种采用了根据权利要求1至4之一所述的光刻胶去除方法或根据权利要求5所述的金属线刻蚀方法的集成电路制造方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
