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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]在金属电容上电极刻蚀制程中改善TDDB性能的方法-CN201410094237.0有效
发明人： 彭精卫;党华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在金属电容上电极刻蚀制程中改善TDDB性能的方法，对上电极进行光刻，并用湿法刻蚀去除了光刻胶之后，利用混合气体对电容器件表面进行清洗，去除在蚀刻和清洗过程中引入的H离子，从而提高电容器的抗击穿性能，避免晶片失效。
金属电容电极刻蚀制程中改善 tddb 性能方法

[发明专利]终点判断方法-CN201410098667.X在审
发明人：王敬平;周广伟;彭精卫;党华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示了一种终点判断方法。所述终点判断方法包括：利用一侦测模块侦测反应腔中反应气体的辉光强度；利用一数据处理模块接收由侦测模块获得的数据并进行处理；其中，在进行数据处理时，不对所述数据进行平滑处理；将所述数据处理后由一显示模块显示并分析。本发明提高了判断的准确性，进而使得制程过程得到精确控制。
终点判断方法

[发明专利]铝刻蚀的方法-CN201210301611.0在审
发明人：王敬平;彭精卫;许昕睿;周广伟 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种铝刻蚀的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有铝层，所述铝层表面具有光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀去除部分所述铝层；在干法刻蚀后，去除所述光刻胶层；在去除光刻胶层后，采用第一清洗液对所述刻蚀后的铝层进行冲洗，所述第一清洗液为水或醇类溶液。所述铝刻蚀方法能够减少刻蚀完成后铝层的腐蚀，使所形成的半导体器件良率提高。
刻蚀方法

[发明专利]光刻胶去除方法、金属线刻蚀方法以及集成电路制造方法-CN201210061098.2在审
发明人： 彭精卫;王敬平 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶去除方法、金属线刻蚀方法以及集成电路制造方法。根据本发明的光刻胶去除方法包括：将带有光刻胶的硅片从刻蚀腔室转移至去胶腔室；此后，在不点火的情况下在去胶腔室中通入氧气；随后，点火开始去胶过程。通过采用根据本发明的光刻胶去除方法，在点火之前通入氧气，使硅片和光刻胶的上升到一定的温度以实现足够的蚀刻速率，并且使得作为助燃气体的氧气可以和作为燃烧物的光刻胶充分接触，从而在点火开始以后的去胶过程由于硅片已经升温并且氧气和光刻胶充分混合而使得光刻胶的燃烧充分完成，由此有效地避免了光刻胶残留的产生。
光刻去除方法金属线刻蚀以及集成电路制造

[发明专利]液体体积变化量的实时监测系统-CN201110298241.5有效
发明人： 彭精卫;周广伟 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G05D9/12 文献下载
摘要：一种液体体积变化量的实时监测系统，包括：用于容纳液体的容器；与所述容器相连的连通管，所述连通管与所述容器构成连通器；实时采集所述连通管内液面高度的探测器；设置有所述容器的横截面面积，接收所述探测器探测到的液面高度，基于液面高度变化量与所述横截面面积的乘积获得液体体积变化量的运算器。本发明通过探测器测量液面高度的变化，获得液体体积变化量，测量液面高度的探测器容易实现、价格较低。
液体体积变化实时监测系统

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