[发明专利]有机发光二极管显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201210060887.4 | 申请日: | 2012-03-08 |
公开(公告)号: | CN103311265A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 陈韻升;黄浩榕 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示面板及其制造方法,且特别是涉及一种有机发光二极管显示面板及其制造方法。
背景技术
随着显示科技的发展,各式显示技术不断推陈出新,其中有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)具有厚度薄、自发光性、彩度高及可弯折性等优点,使得有机发光二极管被誉为显示技术的明日的星。
在有机发光二极管中,电子与空穴注入有机发光层,电子与空穴在有机发光层结合后激发出光线。有机发光二极管显面板以矩阵式排列像素。然而,研究人员发现大面积的面板经常无法获得均匀的驱动电压,而造成亮度不均的问题,在有机发光二极管显示技术的发展上形成一项重大瓶颈。
发明内容
本发明有关于一种有机发光二极管显示面板及其制造方法,其利用辅助电极层及其下的图案化设计,有机发光层可以间断地铺设于辅助电极层上,并降低透明电极层与辅助电极层之间的阻抗,使得有机发光二极管显示面板的亮度均匀。
根据本发明的一方面,提出一种有机发光二极管显示面板。有机发光二极管显示面板包括基板、薄膜晶体管、平坦层、辅助电极层、反射电极层、像素定义层、有机发光层及透明电极层。薄膜晶体管设置于基板上。平坦层设置于薄膜晶体管上。平坦层具有凹槽。辅助电极层设置于凹槽的底部及侧壁。反射电极层设置于薄膜晶体管上。像素定义层设置于平坦层上。像素定义层具有贯穿槽,贯穿槽连通凹槽。有机发光层设置于反射电极层上。有机发光层延伸至凹槽。位于凹槽的部分有机发光层间断地铺设于辅助电极层上。透明电极层设置于有机发光层上。透明电极层延伸至凹槽并电性连接于辅助电极层。
根据本发明的另一方面,提出一种有机发光二极管显示面板的制造方法。有机发光二极管显示面板的制造方法包括以下步骤。提供基板。形成薄膜晶体管于基板上。形成平坦层于薄膜晶体管上。平坦层具有凹槽。形成辅助电极层于凹槽的底部及侧壁。形成反射电极层于薄膜晶体管上。形成像素定义层于平坦层上。像素定义层具有贯穿槽,贯穿槽连通凹槽。形成有机发光层于反射电极层上。有机发光层延伸至凹槽。位于凹槽的部分有机发光层间断地铺设于辅助电极层上。形成透明电极层于有机发光层上。透明电极层延伸至凹槽并电性连接于辅助电极层。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举各种实施例,并配合附图,作详细说明如下:
附图说明
图1绘示第一实施例的有机发光二极管显示面板的俯视图。
图2绘示图1的有机发光二极管显示面板沿截面线2-2的剖面图。
图3~7绘示第一实施例的有机发光二极管显示面板的制造方法的流程图。
图8绘示第二实施例的有机发光二极管显示面板的俯视图。
图9绘示图8的有机发光二极管显示面板沿截面线9-9的示意图。
图10~11绘示第二实施例的有机发光二极管显示面板的制造方法的示意图。
图12绘示图13有机发光二极管显示面板的剖面图。
图13~14绘示第二实施例的有机发光二极管显示面板的制造方法的示意图。
图15~18绘示各种孔洞的形状的示意图。
图19~20绘示各种孔洞的排列方式的示意图。
附图标记说明
100、200、300:有机发光二极管显示面板
110、210、310:基板
120、220、320:薄膜晶体管
121:栅极
122:源极/漏极
123:半导体沟道层
124、324:介电层
130、230、330:平坦层
130a:上表面
130b、230b、330b:凹槽
130c、330c:底部
130d:侧壁
130e、230e、330e、430e、530e、630e、730e、830e、930e:凹洞
140、240、340:辅助电极层
140a:下表面
150、250、350:反射电极层
160、260、360:像素定义层
160a:开口
160b:贯穿槽
170、270、370:有机发光层
180、280、380:透明电极层
322:金属层
P:像素
D1:直径
D2:最小间距
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的