[发明专利]侧壁具有微柱透镜阵列图案的LED芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201210055790.4 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102544269A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 姚陆军;肖德元;张汝京;缪炳有 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧壁 具有 透镜 阵列 图案 led 芯片 制造 方法 | ||
1.一种侧壁具有微柱透镜阵列图案的LED芯片的制造方法，包括：
在一衬底上由下至上依次生长外延层和电流扩散层；
利用侧壁具有圆弧形阵列和台面图案的光刻版进行光刻工艺，在所述电流扩散层上形成光刻胶，所述光刻胶侧壁具有微柱透镜阵列和台面图案；
以所述光刻胶为掩膜，对电流扩散层进行湿化学过刻蚀；
继续以所述光刻胶为掩膜，对外延层进行干法刻蚀，形成台面；
去除所述光刻胶，分别形成侧壁具有微柱透镜阵列图案的外延层和侧壁具有圆弧形阵列图案的电流扩散层；
在所述电流扩散层上制作P电极，在所述台面上制作N电极。
2.根据权利要求1所述的侧壁具有微柱透镜阵列图案的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述外延层由下至上依次包括缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层。
3.根据权利要求2所述的侧壁具有微柱透镜阵列图案的LED芯片的制造方法，其特征在于：对外延层进行刻蚀的步骤中，刻蚀停止在所述N型氮化镓层中。
4.根据权利要求1所述的侧壁具有微柱透镜阵列图案的LED芯片的制造方法，其特征在于：对电流扩散层进行湿化学过刻蚀使所述电流扩散层进行内缩。
5.根据权利要求1所述的侧壁具有微柱透镜阵列图案的LED芯片的制造方法，其特征在于：在所述电流扩散层上制作P电极，在所述台面上制作N电极之后，还包括：在所述外延层的侧壁和表面上、电流扩散层上及台面上形成钝化层。
6.根据权利要求1所述的侧壁具有微柱透镜阵列图案的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述电流扩散层使用的材料为氧化铟锡。
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