[发明专利]X射线探测器及其制造方法

权利要求书

1.一种X射线探测器，包括：

互连基板；

穿透互连基板并在其两个主表面上露出的键合互连；

与互连基板的一个主表面键合的光电转换器件芯片；以及

与互连基板的另一个主表面键合的CMOS像素读出芯片，

其中，键合互连将光电转换器件芯片的焊盘与CMOS像素读出芯片的焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器，其中所述光电转换器件芯片包括排列成矩阵的多个像素单元。

3.根据权利要求2所述的X射线探测器，其中所述多个像素单元分成多个像素阵列模块。

4.根据权利要求2所述的X射线探测器，其中所述多个像素单元经由各自的一个或更多个键合互连与各自的一个像素电路读出电路单元电连接。

5.根据权利要求1所述的X射线探测器，其中所述互连基板由选自玻璃、石英和塑料中的一种组成。

6.根据权利要求1所述的X射线探测器，其中所述互连基板由选自表面为二氧化硅的硅片、绝缘层覆盖钢片中的一种组成，并且所述互连基板还包括用于将键合互连与互连基板电隔离的绝缘衬里。

7.根据权利要求1所述的X射线探测器，其中所述键合互连由选自铟、金、铜、铝、锡、锑、钛的至少一种形成。

8.一种制造X射线探测器的方法，包括：

a)通过蚀刻在互连基板上形成穿透孔；

b)在互连基板的相对的两个主表面上淀积键合金属层，该键合金属层完全填充互连基板中的穿透孔；

c)通过选择性蚀刻键合金属层，形成穿透互连基板并在其两个主表面上露出的键合互连；

d)在互连基板的一个主表面上，将预先形成的光电转换器件芯片与互连基板中的键合互连电连接；以及

e)在互连的另一个主表面上，将预先形成的CMOS像素读出芯片与互连基板中的键合互连电连接。

9.根据权利要求8所述的方法，在步骤e)之后，还包括：

回流键合材料。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述互连基板由选自玻璃、石英和塑料中的一种组成。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述互连基板由选自表面为二氧化硅的硅片、绝缘层覆盖钢片中的一种组成，并且步骤a)和b)之间，还包括：

在互连基板中的穿透孔的内壁形成绝缘衬里。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述键合互连由选自铟、金、铜、铝、锡、锑、钛的至少一种形成。