[发明专利]用于MEMS器件的电旁路结构有效
| 申请号： | 201210048824.7 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102701136A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 洪嘉明;王鸿森;陈相甫;李德玺;亚历山大·卡尔尼茨基;戴文川;张贵松;蔡易恒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 mems 器件 旁路 结构 | ||
1.一种装置，包括：
第一衬底；
第二衬底，包括MEMS器件；
绝缘体层，设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间；以及
电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的部分的绝缘体层中，其中，所述电旁路结构与所述第二衬底中的所述MEMS器件和所述第一衬底中的任何器件电隔离。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电旁路结构是延伸穿过所述绝缘体层并接触所述第一衬底的部分的导电部件。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述导电部件延伸穿过所述第二衬底。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述导电部件和所述第一衬底之间的界面形成欧姆接触。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述电旁路结构通过所述欧姆接触接地。
6.根据权利要求2所述的装置，其中：
所述第一衬底包括互补金属氧化物半导体CMOS器件；
所述导电部件是设置在所述绝缘体层中的互连结构的部分，其中，所述互连结构将所述CMOS器件电耦合至所述MEMS器件；以及
所述导电部件与所述CMOS器件电隔离。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述互连结构的部分接触所述第一衬底的掺杂区域。
8.根据权利要求6所述的装置，其中，所述导电部件包括设置在所述互连结构的部分的顶部导电层上的导电层。
9.一种装置，包括：
第一衬底，包括互补金属氧化物半导体CMOS器件；
第二衬底，包括微机电系统MEMS器件；以及
互连结构，使所述CMOS器件与所述MEMS器件电耦合，其中，所述互连结构包括接触所述第一衬底并且与所述CMOS器件和所述MEMS器件电隔离的部分。
10.一种方法，包括：
提供第一衬底和第二衬底；
在设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间的绝缘体层中形成电旁路结构，其中，所述电旁路结构接触所述第一衬底；以及
在所述第二衬底中形成MEMS器件，其中，形成所述MEMS器件包括执行等离子体环境工艺，并且经由所述电旁路结构对由所述等离子体环境工艺产生的任何电荷进行放电。
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