[发明专利]提高静电保护器件维持电压的方法

权利要求书

1.一种提高静电保护器件维持电压的方法，其特征在于，包括：

首先在半导体基底上制成具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件；

然后在可控硅器件寄生晶体管反馈路径中嵌入半导体元件，用于抑制可控硅自身的正反馈，提升可控硅作为静电保护器件时的维持电压。

2.如权利要求1所述的提高静电保护器件维持电压的方法，其特征在于，所述半导体基底包括：

体硅或III-V族化合物半导体基底。

3.如权利要求1所述的提高静电保护器件维持电压的方法，其特征在于，所述III-V族化合物的半导体基底包括：

GaN或GaAs的半导体基底。

4.如权利要求1所述的高维持电压可控硅器件，其特征在于，所述具有寄生PNPN、PNPNP或NPNPN结构的可控硅器件包括：

两个或两个以上的寄生晶体管形成正反馈。

5.如权利要求1所述的提高静电保护器件维持电压的方法，其特征在于，所述可控硅器件寄生晶体管反馈路径包括：

两个或两个以上的寄生晶体管形成的相互间的正反馈路径。

6.如权利要求1所述的提高静电保护器件维持电压的方法，其特征在于：

所述半导体元件是具有电流或者电压负反馈效用的半导体元件，包括二极管、晶体管或MOS管，用于抑制抑制可控硅自身的正反馈。