[发明专利]沟渠式金氧半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，包括：

具有一第一导电型的一基材，并具有一第一面以及相对所述第一面的一第二面；

一外延层，具有所述第一导电型并位于所述第一面上；

一沟渠，位于所述外延层中；

一栅极绝缘结构，覆盖所述沟渠的一内表面；

一沟渠式闸极，位于所述沟渠中、具有所述第一导电型以及一第一深度；

具有所述第一导电型的一源极，位于所述外延层中并邻近所述栅极；

具有一第二导电型的一保护环，位于所述外延层中并邻近所述源极；

具有一第二深度的一强化结构，具有一电绝缘材料并位于所述保护环之中；以及

位于所述第二面的一漏极。

2.如权利要求1所述的沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，所述第一导电型为N型。

3.如权利要求1所述的沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，所述第一导电型为P型。

4.如权利要求1所述的沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，所述栅极绝缘结构与所述电绝缘材料包含一种氧化物。

5.如权利要求1所述的沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，所述沟渠式栅极包含所述第一导电型的多晶硅。

6.如权利要求1所述的沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，所述第二深度大于所述第一深度。

7.如权利要求1所述的沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，所述源极邻近所述保护环。

8.如权利要求1所述的沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，所述强化结构包含：

一强化沟渠，位于所述外延层中；

所述电绝缘材料的一强化绝缘结构，其覆盖所述强化沟渠的一内壁；以及

一强化材料，填满所述强化沟渠。

9.如权利要求8所述的沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，所述沟渠式栅极具有所述强化材料。

10.如权利要求8所述的沟渠式金氧半导体结构，其特征在于，所述强化材料为空气。

11.一种形成沟渠式金氧半导体结构的方法，包含：

提供一基材与一外延层，其中所述基材具有一第一导电型、一第一面、以及相对所述第一面的一第二面，而所述第一导电型的所述外延层位于所述第一面上；

进行一注入步骤，以形成位于所述外延层中具有一第二导电型的至少一区域，以形成一保护环；

进行一刻蚀步骤，以形成具有一第一深度的一栅极沟渠以及具有一第二深度的一强化沟渠，其中所述栅极沟渠以及所述强化沟渠位于所述外延层中；

进行一氧化步骤，以形成一栅极绝缘结构以覆盖所述栅极沟渠的一内壁，并形成一强化绝缘结构，其覆盖所述强化沟渠的一内壁；以及

将具有所述第一导电型的一材料填入所述栅极沟渠与所述强化沟渠中，使得所述强化沟渠成为位于所述保护环中的一强化结构。

12.如权利要求11所述的形成沟渠式金氧半导体结构的方法，其特征在于，所述第一导电型为N型。

13.如权利要求11所述的形成沟渠式金氧半导体结构的方法，其特征在于，所述第一导电型为P型。

14.如权利要求11所述的形成沟渠式金氧半导体结构的方法，其特征在于，所述注入步骤在所述刻蚀步骤之前进行。

15.如权利要求11所述的形成沟渠式金氧半导体结构的方法，其特征在于，所述注入步骤在所述刻蚀步骤之后进行。

16.如权利要求11所述的形成沟渠式金氧半导体结构的方法，其特征在于，所述栅极沟渠的一开口大于所述强化沟渠的一开口。

17.如权利要求11所述的形成沟渠式金氧半导体结构的方法，其特征在于，所述第二深度大于所述第一深度。

18.如权利要求11所述的形成沟渠式金氧半导体结构的方法，其特征在于，所述材料完全填满所述栅极沟渠与所述强化沟渠。

19.如权利要求11所述的形成沟渠式金氧半导体结构的方法，其特征在于，所述材料密封所述强化沟渠以形成一气隙。