[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示设备

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：基板、栅电极层、栅极绝缘层、活化层、蚀刻阻挡层、源电极层、漏电极层、钝化层以及透明电极层，其特征在于：

所述蚀刻阻挡层的面积大于或等于所述活化层的面积，并设置有用于源电极层、漏电极层与活化层连接的通孔。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述蚀刻阻挡层覆盖整个基板，并在栅极引出区或源极引出区设置有通孔。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述栅极引出区或源极引出区的通孔中，设置有能够导电的填充物；所述栅电极层在所述栅极引出区中通过所述填充物连接所述透明电极层，或者所述源电极层在所述源极引出区的通孔中通过所述填充物连接所述透明电极层。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述设置有用于源电极层、漏电极层与活化层连接的通孔，具体为：设置有用于活化层与源电极层、漏电极层连通的穿透蚀刻阻挡层的第一通孔。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在底栅结构中，所述在栅极引出区或源极引出区设置有通孔，具体包括：

穿透蚀刻阻挡层与栅极绝缘层的第二通孔和穿透钝化层的第五通孔；

所述阵列基板还包括：源电极层、漏电极层与透明电极层连通的穿透钝化层的第四通孔。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在顶栅结构中，所述在栅极引出区或源极引出区设置有通孔，具体包括：

穿透蚀刻阻挡层与栅极绝缘层的第三通孔和穿透钝化层的第四通孔；

所述阵列基板还包括：栅电极层与透明电极层连通的穿透钝化层的第五通孔。

7.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述栅极引出区或源极引出区的通孔中，设置有能够导电的填充物，具体为：

在底栅结构中，所述填充物为与源电极层、漏电极层位于同一层且材质相同的过渡连接金属；

在顶栅结构中，所述填充物为与栅电极层位于同一层且材质相同的过渡连接金属。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第四通孔与所述第五通孔的深度相同。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一通孔的深度与所述蚀刻阻挡层的厚度相同，或者所述第一通孔的深度大于所述蚀刻阻挡层的厚度。

10.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第二通孔和所述第三通孔的深度等于所述蚀刻阻挡层与所述栅极绝缘层的厚度和，或者所述第二通孔和所述第三通孔的深度大于所述蚀刻阻挡层与所述栅极绝缘层的厚度和。

11.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第四通孔和所述第五通孔的深度等于所述钝化层的厚度，或者所述第二通孔和所述第三通孔的深度大于所述钝化层的厚度。

12.一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成栅电极层、栅极绝缘层、活化层以及蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层的面积大于或等于所述活化层的面积；

形成用于活化层与源电极层、漏电极层连通的第一通孔；

形成源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层通过所述第一通孔连接所述活化层；

形成钝化层，并对所述钝化层进行蚀刻；

形成透明电极层，所述透明电极层与所述源电极层、所述栅电极层连接。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，在形成用于活化层与源电极层、漏电极层连通的第一通孔的同时，还包括：

形成用于栅电极层与透明电极层连通的穿透蚀刻阻挡层与栅极绝缘层的第二通孔；

在形成源电极层和漏电极层的同时，还在所述第二通孔上形成与所述源电极层和漏电极层材质相同的用于进行栅电极层和透明电极层之间过渡连接的金属，所述用于进行栅电极层和透明电极层之间过渡连接的金属通过所述第二通孔连接所述栅电极层。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述对所述蚀刻阻挡层及栅极绝缘层进行蚀刻，具体为：

通过过孔的方式，对所述蚀刻阻挡层及栅极绝缘层进行蚀刻。