[发明专利]反射型复合显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201210036286.X | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102655163A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 吴一洙;李昌浩;高熙周;赵世珍;宋炯俊;尹振渶;李宝罗;宋英宇;李钟赫;金圣哲 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/34;G02F1/13357;G02F1/1343;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 复合 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种反射型复合显示装置,所述显示装置包括:
下基底;
有机发光层,形成在下基底的顶表面上,用于在被施加电流时发射光;
密封层,覆盖有机发光层以从外部将有机发光层密封;
上基底,形成在密封层上方,在上基底和密封层之间存在间隙;
液晶,注入在上基底和密封层之间;
透明电极,形成在上基底的一表面上;以及
偏振器,形成在上基底的另一表面上,
其中,透明电极包括交替布置的第一电极和第二电极,第一电极和第二电极通过响应于施加到它们的不同电压而产生电场来驱动液晶。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中,有机发光层还包括形成在空穴注入层的底表面上的阳极和形成在电子注入层的顶表面上的阴极。
4.如权利要求2所述的显示装置,其中,有机发光层还包括辅助空穴传输层。
5.如权利要求1所述的显示装置,其中,透明电极由透明导电氧化物制成。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中,透明电极由氧化铟锡和氧化铟锌中的一种制成。
7.如权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
光学传感器,用于感测外部光;以及
控制单元,用于根据由光学传感器感测的外部光的强度来将电压施加到透明电极和有机发光层中的至少一个。
8.如权利要求7所述的显示装置,其中,当外部光的强度超过预设值时,控制单元通过将电压施加到透明电极来驱动液晶。
9.如权利要求7所述的显示装置,其中,当外部光的强度没有超过预设值时,控制单元通过将电压施加到有机发光层来控制有机发光层发射光。
10.一种反射型复合显示装置,所述显示装置包括:
柔性的下基底;
有机发光层,形成在下基底的顶表面上,用于在被施加电流时发射光;
薄的有机复合密封层,覆盖有机发光层,以从外部将有机发光层密封;
柔性的上基底,形成在密封层上方,在上基底和密封层之间存在间隙;
液晶,注入在上基底和密封层之间;
透明电极,形成在上基底的一表面上;
以及偏振器,形成在上基底的另一表面上,
其中,透明电极包括交替布置的第一电极和第二电极,第一电极和第二电极通过响应于施加到它们的不同电压而产生电场来驱动液晶。
11.如权利要求10所述的显示装置,其中,有机发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层。
12.如权利要求11所述的显示装置,其中,有机发光层还包括形成在空穴注入层的底表面上的阳极和形成在电子注入层的顶表面上的阴极。
13.如权利要求11所述的显示装置,其中,有机发光层还包括辅助空穴传输层。
14.如权利要求10所述的显示装置,其中,透明电极由透明导电氧化物制成。
15.如权利要求10所述的显示装置,其中,透明电极由氧化铟锡和氧化铟锌中的一种制成。
16.如权利要求10所述的显示装置,所述显示装置还包括:
光学传感器,用于感测外部光;以及
控制单元,用于根据由光学传感器感测的外部光的强度来将电压施加到透明电极和有机发光层中的至少一个。
17.如权利要求16所述的显示装置,其中,当外部光的强度超过预设值时,控制单元通过将电压施加到透明电极来驱动液晶。
18.如权利要求16所述的显示装置,其中,当外部光的强度没有超过预设值时,控制单元通过将电压施加到有机发光层来控制有机发光层发射光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的