[发明专利]MEMS建模系统及方法

说明书

技术领域

实施例总体上涉及为器件建模的系统和方法，更具体地来说，涉及为微机电器件建模的系统和方法。

背景技术

通常，当为微机电器件建立行为模型时，开发者可以采取以下两种方式：“自上而下”方式或者“自下而上”方式。在“自上而下”方式中，开发者一开始利用了器件的期望特征，然后尝试着确定将提供期望特征的器件的尺寸和形状，从而形成了可以进行测试的最终实体器件。然而，在这种方式中，如果最终产生的实体微机电器件不符合期望的规格(从而该器件不合适)，则必须重新进行整个工艺(从开始设计到完成实体器件)，从而前功尽弃。

相反，在“从下到上”方式中，首先形成了期望的微机电器件的实体三维结构。一旦上述结构形成，可以对微机电结构进行有限元法(finite-element method)分析或者边界元法(boundary-element method)分析，然后可以将其转换成微机电结构的行为模型。根据该行为模型，可以实施进一步的设计，从而形成新的微机电器件。然而，与上述“从上到下”方式类似，如果微机电器件由行为模型设计而成，并且不符合期望的规格，则必须要重复整个工艺，包括三维结构的初始制作、有限元法、转换为行为模型、以及期望器件的最终重新设计。可以看出，这两种方法都没有考虑如何在不重复整个设计过程的情况下对行为模型进行改进，从而浪费了时间和资源。

发明内容

为解决上述问题，本发明提出了一种对微机电器件进行建模的方法，方法包括：将MEMS设计分成多个区域，多个区域中的至少一个区域与多个区域中的另一区域位于相互独立的虚拟层中；为多个区域中的每个区域建立模型；以及将多个区域中的每个区域的模型加入到MEMS模型中。

其中，为多个区域中的每个区域建立模型的步骤进一步包括：为多个区域中的每个区域建立参数化模型。

其中，多个区域中的每个区域的参数化模型包括参数方程。

在将多个区域中的每个区域的模型加入到MEMS模型中的步骤之后进一步包括：校准MEMS模型。

其中，通过硅相关性法至少部分地实施校准MEMS模型的步骤。

其中，通过三维分析法至少部分地实施校准MEMS模型的步骤。

其中，校准MEMS模型的步骤进一步包括：测试MEMS模型，以确定MEMS模型是否不符合一系列规格；以及当MEMS模型不符合一系列规格时，调整多个区域中的每个区域的模型中的一个。

其中，调整多个区域中的每个区域的模型中的一个的步骤进一步包括：调整多个区域中的每个区域的模型中的一个的至少一个参数化参数。

此外，还提出了一种对微机电器件进行建模的方法，方法包括：将三维MEMS设计分成第一区域和第二区域，第一区域与第二区域位于相互独立的层中；为第一区域建立第一模型，为第二区域建立第二模型，第一模型与第二模型不同；以及将第一模型和第二模型结合到MEMS器件模型中。

其中，建立第一模型的步骤包括：建立参数化模型。

其中，第一模型包括参数化参数。

在将第一模型和第二模型结合到MEMS器件模型中的步骤之后进一步包括：校准MEMS器件模型。

其中，校准MEMS器件模型的步骤进一步包括：实施硅相关性法。

其中，校准MEMS器件模型的步骤进一步包括：实施三维分析法。

其中，校准MEMS器件模型的步骤进一步包括：测试MEMS器件模型；以及当MEMS器件模型没有通过对其进行的测试时，调整第一模型。

其中，调整第一模型的步骤进一步包括：调整第一模型中的参数化参数。

此外，还提出了一种对微机电器件进行建模的计算机程序产品，计算机程序产品具有非暂时性计算机可读介质，在非暂时性计算机可读介质上包含有计算机程序，计算机程序包括：用于接收第一模型和第二模型的计算机程序代码，第一模型包括微机电器件的第一区域的第一区域模型，第二模型包括微机电器件的第二区域的第二区域模型；以及用于根据第一模型和第二模型获得MEMS模型的计算机程序代码。

其中，第一模型包括参数化模型。

其中，第一模型包括至少一个参数化参数。

该计算机程序产品进一步包括：用于校准MEMS模型的计算机程序代码。

附图说明

为了全面理解本公开及其优点，现在结合附图进行以下描述作为参考，其中：

图1示出了根据实施例的第一虚拟微机电(MEMS)器件；

图2A-图2B示出了根据实施例的MEMS行为模型的形成过程；