[发明专利]一种记忆装置及产生程序化偏压脉冲的方法和集成电路

权利要求书

1.一种记忆装置，其特征在于其包含：

多个感测节点及参考节点；

多个记忆胞串列，每一个串列安排连接介于对应的感测节点与参考节点之间，且包括一串列选择切换开关以选择性地连接该串列至对应的位元线；

多条字元线及至少一条串列选择线，字元线与该多个记忆胞串列中对应的记忆胞耦接且该至少一条串列选择线与对应的串列选择切换开关耦接；以及

逻辑与电路，和该多条字元线、该至少一条串列选择线、该多条位元线及该参考节点耦接，以程序化一选取串列中一记忆胞的一选取字元线以建立一程序化记忆胞临界电压在一目标临界电压内，该逻辑与电路组态为施加一程序化偏压脉冲，其包括：

施加一程序化电压至该选取字元线及通过电压至该多条字元线中的其他字元线，该程序化电压及至少一通过电压于该程序化偏压脉冲的一初始阶段中具有一第一大小，并在后续阶段中转变至各自的一第二大小；

施加一位元线电压至与该所选取串列对应的感测节点及一参考电压至与该所选取串列对应的该参考节点；及

施加一串列选择电压至该至少一条串列选择线，该位元线电压及该串列选择线电压是用来在该程序化偏压脉冲的该初始阶段中开启该串列选择切换开关，并在该后续阶段中关闭该串列选择切换开关或是降低该串列选择切换开关的导电率。

2.根据权利要求1所述的记忆装置，其特征在于其中该逻辑与电路组态为执行一验证步骤，包括判断该选取记忆胞是否具有一程序化记忆胞临界电压在一目标临界电压内，且假如该选取记忆胞具有一验证失败数目没有超过一临界重试数目上限，则增加该程序化电压及该通过电压之一或两者的该第二大小一个对应的程序化电压增幅及通过电压增幅，并且之后重新施加一程序化偏压脉冲。

3.根据权利要求2所述的记忆装置，其特征在于其中该增加包含增加该程序化电压的该第二大小一个程序化电压增幅，及增加至少一条字元线上的该通过电压的该第二大小一个通过电压增幅，其中该通过电压增幅大于该程序化电压增幅。

4.根据权利要求1所述的记忆装置，其特征在于其中在该初始阶段中，位元线电压设定为一程序化偏压准位Vbl1，该串列选择偏压被升至Vssl1，其中Vssl1-Vbl1是大于该串列选择切换开关的临界电压，且之后该程序化电压及该通过电压增加至各自的该第一大小，且在该后续阶段时该位元线电压增加而该串列选择偏压减少使得Vssl1-Vbl1是小于该串列选择切换开关的临界电压，且之后该程序化电压及该通过电压增加至各自的该第二大小。

5.根据权利要求1所述的记忆装置，其特征在于其中该多个记忆胞串列是安排成与非门串列。