[发明专利]用于原子层沉积的涡流室盖

权利要求书

1.一种用于半导体处理室的注入器，所述注入器包括：

基底，所述基底限定中心气体分配道的一部分；

多个狭缝，所述多个狭缝形成在所述基底中且设置为围绕所述中心气体分配道；

第一气体通路，所述第一气体通路形成在所述基底中且耦接至邻接所述多个狭缝的第一气体节环；以及

第二气体通路，所述第二气体通路形成在所述基底中且耦接至设置在所述第一气体节环下方邻接所述多个狭缝的第二气体节环。

2.如权利要求1所述的注入器，其中所述多个狭缝与所述气体分配道的中心轴夹一角度。

3.如权利要求2所述的注入器，其中所述多个狭缝以一角度正切所述气体分配道。

4.如权利要求3所述的注入器，其中所述角度为0度至90度。

5.如权利要求3所述的注入器，其中所述角度为0度至45度。

6.如权利要求3所述的注入器，其中所述角度为0度至20度。

7.如权利要求1所述的注入器，其中所述狭缝重新引导自所述第一气体节环和所述第二气体节环的每一个的气流以在所述中心气体分配道中形成环形流动路径。

8.如权利要求7所述的注入器，其中所述环形流动路径包括一流动图案，所述流动图案选自由涡流、螺旋、盘旋、卷曲、扭曲、卷绕、漩涡和它们的衍生图案所组成的组。

9.一种用于半导体处理室的注入器，所述注入器包括：

基底，所述基底限定中心气体分配道的一部分；

第一气体节环，所述第一气体节环形成在所述基底中且围绕所述气体分配道；

第二气体节环，所述第二气体节环形成在所述基底中并在所述第一气体节环的下方且围绕所述气体分配道；

多个狭缝，所述多个狭缝形成在所述基底中且设置在所述第一气体节环与所述第二气体节环之间，所述多个狭缝围绕所述中心气体分配道；

第一气体通路，所述第一气体通路形成在所述基底中且耦接至所述第一气体节环；以及

第二气体通路，所述第二气体通路形成在所述基底中且耦接至所述第二气体节环，其中自所述第一气体节环和所述第二气体节环二者的气体流经所述多个狭缝以在所述中心气体分配道中形成环形流动路径。

10.如权利要求9所述的注入器，其中所述环形流动路径包括一流动图案，所述流动图案选自由涡流、螺旋、盘旋、卷曲、扭曲、卷绕、漩涡和它们的衍生图案所组成的组。

11.如权利要求9所述的注入器，其中所述多个狭缝与所述气体分配道的中心轴夹一角度。

12.如权利要求11所述的注入器，其中所述多个狭缝以一角度正切所述气体分配道。

13.如权利要求12所述的注入器，其中所述角度为0度至90度。

14.如权利要求12所述的注入器，其中所述角度为0度至45度。

15.如权利要求12所述的注入器，其中所述角度为0度至20度。

16.一种用于半导体处理室的气体罩盖，所述罩盖包括：

具有中心气体分配道的主体，所述中心气体分配道包括圆柱上部分和分流下部分，其中所述中心气体分配道的内面包括粗糙表面以提高上面的材料的黏着。

17.如权利要求16所述的罩盖，其中所述粗糙表面具有10μin Ra至100μin Ra的平均粗糙度。

18.如权利要求16所述的罩盖，其中所述粗糙表面具有30μin Ra至80μin Ra的平均粗糙度。

19.如权利要求16所述的罩盖，其中所述粗糙表面具有10μin Ra至50μin Ra的平均粗糙度。

20.如权利要求16所述的罩盖，还包括：

第一气体导管，所述第一气体导管耦接至所述圆柱上部分且与所述中心气体分配道流体连通。

21.如权利要求20所述的罩盖，还包括：

第二气体导管，所述第二气体导管耦接至所述圆柱上部分且与所述中心气体分配道流体连通。

22.如权利要求21所述的罩盖，其中所述第一气体导管和所述第二气体导管设置以提供环形气流图案。