[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，尤其是涉及一种可设一隔绝层将外延层的表面完全覆盖，以避免外延层的边缘在进行激光剥离技术的过程中产生裂痕的发光二极管及其制造方法。

背景技术

传统横向结构的发光二极管，因为其两电极需设置于外延结构的同一侧，导致有效发光面积小以及电流流动路径过长，使其串联电阻值偏高，并且衍生严重的电流拥挤效应(current crowding)。而且横向结构发光二极管于高功率操作下容易产生高温，如此将导致发光亮度及效率衰减、发光波长改变、可靠性降低，以及发光二极管的寿命缩短等缺失。而为了改善上述的缺失，因此，发展出一种垂直结构的垂直式发光二极管。

图1a～图1b显示传统的垂直式发光二极管的切割流程，且图1b所示的传统的发光二极管1包括：一基板101、一第一接合层102、一反射镜层103、一外延层(EPI layer)104以及设在基板101上的一第二接合层105，其用以接合第一接合层102。由图1a至图1b的切割过程中，为获得传统的垂直式发光二极管1必须对图1a中具有多个传统垂直式发光二极管的晶片(wafer)进行激光剥离去除氧化铝基板与晶片切割等制作工艺，因此，当将激光聚焦在氧化铝(Al₂O₃)基板与外延层104的界面上时，会造成界面的外延层的裂解，进而产生镓(Ga)原子与氮(N2)气体，故必须先形成蚀刻通道，以让气体可以从蚀刻通道排出。但是，在这样的制作工艺下，会发现于外延层104与接合层102的交界处的边缘会受到激光剥离制作工艺与氮气体的排出所产生的应力的影响，而容易产生裂痕。而产生裂缝时(如图1b的圆圈处)，会进一步导致发光二极管有漏电流的情况，使得生产良率下降。

鉴于传统的发光二极管与制造方法并无法有效防止裂痕与漏电流的产生并提高生产良率，因此，需要提出一种新颖的发光二极管与制造方法，可用于阻止裂痕漏电流的产生并提高生产良率。

发明内容

鉴述上述，本发明的目的在于提供一种发光二极管，可设一隔绝层将外延层的表面完全覆盖，以避免外延层的边缘在进行激光剥离技术的过程中产生裂痕。

本发明的另一目的在于提供一种发光二极管的制造方法，其可有效防止外延层的边缘产生裂痕与漏电流的产生，并提高生产良率。

在一实施例中，本发明提供一种发光二极管的制造方法，包括：一种发光二极管的制造方法，包括：提供一第一基板，并于该第一基板上形成一外延部；形成至少一反射镜层于该外延部上；形成一隔离金属部于该反射镜层上；应用一第一蚀刻制作工艺，蚀刻该外延部与该隔离金属部，进而形成至少一外延层与至少一隔离金属层，且每一个外延层间具有一蚀刻通道，且该隔离金属层包覆该反射镜层并完全覆盖该外延层的表面；形成一第一接合层于该隔离金属层之上；以及形成一第二基板于该第一接合层之上，并移除该第一基板。

在另一实施例中，本发明提供一种发光二极管，包括：一基板；一第一接合层，形成该基板之上；一隔离金属层，形成于该第一接合层之上；以及一外延层，形成于该隔离金属层之上；其中该外延层的表面完全被该隔离金属层所覆盖，且该第一接合层会略小于该隔离金属层。

为进一步对本发明有更深入的说明，是通过以下图示、图号说明及发明详细说明，冀能对贵审查委员于审查工作有所助益。

附图说明

图1a～图1b为传统的垂直式发光二极管的切割流程示意图；

图2a～图6c为本发明的一实施例的发光二极管的制作工艺方法示意图；

图7为本发明的一实施例的发光二极管的剖面示意图。

主要元件符号说明

1、2、3            发光二极管

101、201、209、301 基板

102、207a、302     第一接合层

103、203、304  反射镜层

104、202a、305 外延层

105、208、306  第二接合层

202            外延部

204            隔离金属部

204a           隔离金属层

205            金属掩模部

205a           金属掩模层

206            图案化光致抗蚀剂层

207            第一接合部

具体实施方式