[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，包括：

提供一第一基板，并于该第一基板上形成一外延部；

形成至少一反射镜层于该外延部上；

形成一隔离金属部于该反射镜层上；

应用一第一蚀刻制作工艺，蚀刻该外延部与该隔离金属部，进而形成至少一外延层与至少一隔离金属层，且每一个外延层间具有一蚀刻通道，且该隔离金属层包覆该反射镜层并完全覆盖该外延层的表面；

形成一第一接合层于该隔离金属层之上；以及

形成一第二基板于该第一接合层之上，并移除该第一基板。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中在形成该第一接合层的步骤之前还包括：

形成一金属掩模部于该隔离金属部之上；

应用一光刻制作工艺，形成至少一图案化光致抗蚀剂层于该金属掩模部上；

应用一蚀刻剂，并利用该图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，以蚀刻该金属掩模部而形成至少一金属掩模层，且该每一个金属掩模层间具有一隔离沟槽；

应用该金属掩模层为该第一蚀刻制作工艺的蚀刻掩模，进而形成该至少一外延层与该至少一隔离金属层；以及

移除该每一个隔离金属层上的该金属掩模层。

3.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其中该蚀刻剂为硫酸、双氧水与水的混合。

4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该一第一蚀刻制作工艺为一感应耦合等离子体蚀刻过程。

5.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其中该金属掩模部与该金属掩模层的材料包括镍。

6.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，还包括：

形成该第一接合层的方法为应用一剥离技术，来完成该第一接合层的图案化，使得每一个第一接合层对应每一个外延层与每一个隔离金属层，其中该第一接合层的大小会略小于该隔离金属层。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该第二基板接合该第一接合层之前，在该第二基板上形成一第二接合层，以接合该第一接合层。

8.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该隔离金属部与该隔离金属层的材料包括钨钛合金、铂、钨或上述金属的组合。

9.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该反射镜层的材料包括镍、银、铂、金或上述金属的组合。

10.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其中该第一接合部以及第一与第二接合层的材料包括金、银、铅、锡、铟、导电胶或上述的组合。

11.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中该外延部与该外延层的结构为同质结构、单异质结构、双异质结构、多重量子阱结构或上述的任意组合。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第一基板的材料包括蓝宝石、氮化镓、氮化铝、碳化硅或氮化镓铝，而第二基板的材料包括氮化镓、碳化硅或硅基板。

13.一种发光二极管，包括：

基板；

第一接合层，形成该基板之上；

隔离金属层，形成于该第一接合层之上；以及

一外延层，形成于该隔离金属层之上；

其中该外延层的表面完全被该隔离金属层所覆盖，且该第一接合层会略小于该隔离金属层。

14.如权利要求13所述的发光二极管，还包括：

第二接合层，形成于该基板与第一接合层之间，以接合该第一接合层。

15.如权利要求13所述的发光二极管，还包括：

反射镜层，设于该外延层与该隔离金属层之间，且被该隔离金属层所包覆。

16.如权利要求13所述的发光二极管，其中该隔离金属层的材料包括钨钛合金、铂、钨或上述金属的组合。

17.如权利要求13所述的发光二极管，其中该反射镜层的材料包括镍、银、铂、金或上述金属的组合。

18.如权利要求13所述的发光二极管的制造方法，其中该第一接合层的材料包括金、银、铅、锡、铟、导电胶或上述的组合。

19.如权利要求14所述的发光二极管，其中该第二接合材料包括金、银、铅、锡、铟、导电胶或上述的组合。

20.如权利要求13所述的发光二极管，其中该基板的材料包括氮化镓、碳化硅或硅基板。