[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，特别是涉及一种可以减少光刻次数的TFT阵列基板的制作方法。

背景技术

LCD(liquid crystal display：液晶显示器)面板是液晶显示器的重要组件之一，现有的TF T(thin film transistor：薄膜场效应晶体管)LCD面板由于其功率低、体积小、无辐射等优点，被广泛的用于液晶显示器中。

TFT LCD面板包括TFT阵列基板和彩膜基板，液晶位于两者之间。目前，TFT阵列基板的制作主要是通过在玻璃基板上进行光刻工艺，制作成所需要的图形结构，以形成TFT元件以及相应的布线。由于TFT元件及玻璃基板上的布线具有多层次，因而需要实施多次光刻工艺才能完成TFT阵列基板的制作。经过技术的发展和改进，现在已经形成了四次光刻形成IPS(In-Plane Switching，平面转换)型LCD的TFT阵列基板的工艺技术。

图1为现有技术的IPS型LCD的TFT阵列基板的平面结构示意图，图2为沿图1的III-III’线和IV-IV’线的剖面图。

现在参照图1和图2说明现有技术的四次光刻形成IPS型LCD的TFT阵列基板的工艺。首先，在下基板80上沉积一导电金属，并对其进行光刻构图形成扫描线81以及栅极81a，公共线81b与扫描线81同时形成，多个透明电极81c与公共线81b相连。接着，在包括扫描线81的下基板80的整个表面上形成绝缘层82，在绝缘层82上沉积一半导体层，并对其进行光刻构图，以在栅极上方形成有源层83。然后，在形成有源层83的下基板80的整个表面上沉积一导电金属，并对其进行光刻构图，以形成数据线841、842、843以及844，并同时形成源极84a和漏极84b。在下基板80的整个表面上形成保护层85，并形成一接触孔86以暴露漏极84b。最后，在保护层85上沉积透明导电金属，对该透明导电金属进行光刻构图，形成通过接触孔86与漏极84b接触的像素电极87，在形成像素电极87的同时，在公共线81b上方的保护层85上形成存储电极88。

综上所述，四次光刻形成IPS型LCD的TFT阵列基板的工艺制程仍然较为复杂，制作难度和制作成本较高，增加了液晶显示器的生产难度，故，有必要提供一种TFT阵列基板的制作方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明提供一种采用三次光刻工序即可完成整个TFT阵列基板的制作，简化TFT阵列基板的制作工艺、节约TFT阵列基板的制作成本以及节省TFT阵列基板的制作时间的TFT阵列基板的制作方法。以解决现有技术的TFT阵列基板的制作方法采用四次光刻工序完成整个TFT阵列基板的制作造成TFT阵列基板的制作成本增加以及制作时间延长的技术问题。

本发明构造了TFT阵列基板的制作方法，其中包括步骤：A、依次沉积第一透明导电层以及第一金属层，进行图形化处理形成公共电极、栅极以及透明电极阵列；B、依次沉积绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层，进行图形化处理使所述第二金属层在所述有源层的两侧形成源极和漏极；C、沉积第二透明导电层，进行图形化处理形成源极接触层、漏极接触层以及与所述漏极接触层连接的像素电极阵列；D、在所述有源层的沟道表面形成保护层。

在本发明的TFT阵列基板的制作方法中，所述步骤A中使用溅射法依次沉积所述第一透明导电层以及所述第一金属层。

在本发明的TFT阵列基板的制作方法中，所述步骤A中使用半透性光刻板进行图形化处理形成所述公共电极、所述栅极以及所述透明电极阵列。

在本发明的TFT阵列基板的制作方法中，所述步骤B中使用化学气象沉积法依次沉积所述绝缘层、所述有源层、所述欧姆接触层以及所述第二金属层。

在本发明的TFT阵列基板的制作方法中，所述步骤B中使用半透性光刻板进行图形化处理在所述有源层的两侧形成所述源极和所述漏极。

在本发明的TFT阵列基板的制作方法中，所述步骤C中使用溅射法沉积所述第二透明导电层。

在本发明的TFT阵列基板的制作方法中，所述步骤D中使用等离子体对所述有源层的沟道表面进行钝化处理以形成保护层。

在本发明的TFT阵列基板的制作方法中，所述第一金属层包括铝金属层和第一钼金属层，所述第二金属层包括第一钼金属层、铝金属层以及第二钼金属层。

在本发明的TFT阵列基板的制作方法中，所述步骤A中使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液对所述第一金属层进行湿法刻蚀，使用草酸对所述第一透明导电层进行湿法刻蚀。