[发明专利]SRAM器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制作工艺技术领域，更具体地说，涉及一种SRAM器件及其制造方法。

背景技术

SRAM(Static RAM)器件，即：静态随机存储器，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，因此，相比动态随机存储器(Dynamic RAM，DRAM)而言，其存取速度更快，从而可提高器件的工作效率。

现有的SRAM器件，在封装前对晶片进行测试时，发现良率(yield)较低，这主要是由于器件边缘漏电而引起。如果在晶片上不同位置测试器件的漏电大小，设Bin1对应晶片中心(center)位置的测试结果，Bin3对应晶片中间(middle)位置的测试结果，Bin6对应晶片边缘(edge)位置的测试结果，则有Bin1＜Bin3＜Bin6，Bin6的漏电大小可超过100μA，从而使得器件失效。

器件边缘漏电主要体现在边缘部位的源区处漏电，参考图1，图1中示出了浅沟槽10，与所述浅沟槽10相邻的阱区11内设置有源区12，所述源区12与阱区11的掺杂类型相反，阱区11和浅沟槽10上设置有层间介质13，层间介质13内设置有与源区12相连的接触孔14，所述接触孔14通过刻蚀工艺而形成。刻蚀过程中不仅形成了器件边缘部位的接触孔，而且还形成了器件中间部位的接触孔，但是由于边缘的刻蚀速率较大，因此，边缘部位的接触孔14将会导致过刻蚀，过刻蚀的结果是使得接触孔14延伸至浅沟槽10内，因此，漏电流会通过所述接触孔14而进入阱区11内(沿图中箭头所指方向)，从而造成了边缘部位的严重漏电。

如果通过缩短刻蚀时间来减小过刻蚀的影响，则器件上的非边缘部位所形成的接触孔可能因刻蚀时间不足而不能实现导通功能。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种SRAM器件及其制造方法，以解决现有的SRAM器件边缘漏电严重的问题，从而提高器件的良率。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种SRAM器件，该SRAM器件包括：

衬底；

位于所述衬底上的阱区，所述阱区被浅沟槽隔离开来；

位于所述阱区内、与所述浅沟槽相邻的源区；

位于所述阱区上的层间介质，所述层间介质内设置有与所述源区相连的接触孔，所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上使所述源区成对称分布。

优选的，上述SRAM器件中，所述阱区为N型阱区，所述源区为P型重掺杂的源区。

优选的，上述SRAM器件中，所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上距所述源区两侧边缘的距离为0.08μm～0.14μm。

优选的，上述SRAM器件中，所述接触孔的横截面为正方形，所述正方形的边长为0.22μm。

优选的，上述SRAM器件中，所述源区的宽度为0.38～0.50μm。

优选的，上述SRAM器件中，所述源区的结深为0.26μm。

本发明还提供了一种SRAM器件制造方法，该方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成阱区，并形成隔离所述阱区的浅沟槽；

在所述阱区内形成与所述浅沟槽相邻的源区；

在所述阱区上形成层间介质；

在所述层间介质内形成与所述源区相连的接触孔，所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上使所述源区成对称分布。

优选的，上述方法中，所形成的阱区为N型阱区，所形成的源区为P型重掺杂的源区。

优选的，上述方法中，所形成的源区的宽度为0.38～0.50μm，源区的结深为0.26μm。

优选的，上述方法中，所形成的接触孔的横截面为正方形，所述正方形的边长为0.22μm，且所形成的接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上距所述源区两侧边缘的距离为0.08μm～0.14μm。

从上述技术方案可以看出，本发明所提供的SRAM器件包括：衬底；所述衬底上设置有阱区，所述阱区被浅沟槽隔离开来；所述阱区内设置有与所述浅沟槽相邻的源区；阱区上方的层间介质内设置有与所述源区相连的接触孔，所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上使所述源区成对称分布。由于所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上使所述源区成对称分布，因此在源区与浅沟槽连线的方向上，所述源区包围所述接触孔，即：所述接触孔距离所述浅沟槽具有一定的距离，从而使得在过刻蚀过程中也不会刻蚀所述浅沟槽，因此避免了接触孔延伸至浅沟槽内导致漏电，最终可提高器件的良率。

附图说明