[发明专利]SRAM器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210025330.7 | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103247628A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 孙晓峰;丁海滨;韩领 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sram 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种SRAM器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的阱区，所述阱区被浅沟槽隔离开来；
位于所述阱区内、与所述浅沟槽相邻的源区；
位于所述阱区上的层间介质，所述层间介质内设置有与所述源区相连的接触孔，所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上使所述源区成对称分布。
2.根据权利要求1所述的SRAM器件，其特征在于，所述阱区为N型阱区，所述源区为P型重掺杂的源区。
3.根据权利要求1所述的SRAM器件，其特征在于，所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上距所述源区两侧边缘的距离为0.08μm～0.14μm。
4.根据权利要求1所述的SRAM器件，其特征在于，所述接触孔的横截面为正方形，所述正方形的边长为0.22μm。
5.根据权利要求1所述的SRAM器件，其特征在于，所述源区的宽度为0.38～0.50μm。
6.根据权利要求1所述的SRAM器件，其特征在于，所述源区的结深为0.26μm。
7.一种SRAM器件制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成阱区，并形成隔离所述阱区的浅沟槽；
在所述阱区内形成与所述浅沟槽相邻的源区；
在所述阱区上形成层间介质；
在所述层间介质内形成与所述源区相连的接触孔，所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上使所述源区成对称分布。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所形成的阱区为N型阱区，所形成的源区为P型重掺杂的源区。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所形成的源区的宽度为0.38～0.50μm，源区的结深为0.26μm。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所形成的接触孔的横截面为正方形，所述正方形的边长为0.22μm，且所形成的接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上距所述源区两侧边缘的距离为0.08μm～0.14μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
