[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210024542.3 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102544109A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫入秀和;秋元健吾;白石康次郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体器件，包括：
包括硅和过量氧的绝缘膜；
与所述绝缘膜接触的氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜包括沟道形成区域；和
邻接于所述氧化物半导体膜的栅电极。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体膜具有的载流子浓度小于1×1017原子/cm3。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟、镓和锌。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘膜位于所述氧化物半导体膜的下面。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
在所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；和
在所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，
其中，所述第二绝缘膜包括硅和氧，而所述第三绝缘膜包括氮化物，且
其中，所述绝缘膜位于所述氧化物半导体膜的下面。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化物为氮化硅。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括过量的氧。
9.一种半导体器件，包括：
栅电极；
在所述栅电极之上的绝缘膜，所述绝缘膜包括硅和过量的氧；和
在所述栅电极之上的氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜包括沟道形成区域并且与所述绝缘膜相接触。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体膜具有的载流子浓度小于1×1017原子/cm3。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟。
12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟、镓和锌。
13.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，还包括在所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜和在所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，其中，所述第二绝缘膜包括硅和氧，而所述第三绝缘膜包括氮化物。
14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化物为氮化硅。
15.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘膜位于所述栅电极和所述氧化物半导体膜之间。
16.一种半导体器件，包括：
包括硅和氧的绝缘膜；
与所述绝缘膜接触的氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜包括沟道形成区域；和
邻接于所述氧化物半导体膜的栅电极，
其中，所述氧化物半导体膜包含过量的氧。
17.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体膜具有的载流子浓度小于1×1017原子/cm3。
18.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟。
19.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括铟、镓和锌。
20.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘膜位于所述氧化物半导体膜的下面。
21.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
在所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；和
在所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，
其中，所述第二绝缘膜包括硅和氧，而所述第三绝缘膜包括氮化物，且
其中，所述绝缘膜位于所述氧化物半导体膜的下面。
22.一种半导体器件，包括：
栅电极；
在所述栅电极之上的绝缘膜，所述绝缘膜包括硅和氧；和
在所述栅电极之上的氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜包括沟道形成区域并且与所述绝缘膜相接触，
其中，所述氧化物半导体膜包含过量的氧。
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