[发明专利]前侧发射型有机发光显示装置及其制造方法无效
申请号: | 201210019703.X | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN102655162A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 李昌浩;高熙周;宋炯俊;吴一洙;尹振渶;李宝罗;赵世珍;宋英宇;李钟赫;金圣哲 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本申请要求于2011年3月4日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0019331号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种前侧发射型有机发光显示装置及其制造方法,更具体地讲,涉及一种包括具有低电阻的阴极电极的前侧发射型有机发光显示装置。
背景技术
信息技术(IT)产业的快速发展让显示装置的应用显著增长。近来,已经有对轻质纤薄、功耗低且提供高分辨率的显示装置的需求。为了满足这些需求,正在开发液晶显示器或利用有机发光特性的有机发光显示器。
在有机发光元件中,从外部源注入的空穴和电子在发光层中结合在一起,从而随着它们的消失而形成激子。随着激子从激发态跃迁至基态时,激子将能量转移至发光层的荧光分子。然后,荧光分子发射光而形成图像。就能态而言,激子具有一个单重态和三个三重态。就带隙能的本质来说,激子在单重态发射光,但在三重态不发射光并且转换为热能。
有机发光元件包括以预定图案形成在基板上的阳极层、顺序地堆叠在阳极层上的空穴传输层、发光层和电子传输层,以及沿着与阳极层正交的方向以预定图案形成在电子传输层的顶表面上的阴极层。此处,空穴传输层、发光层和电子传输层是由有机化合物制成的有机薄膜。
有机发光显示器是具有自发光特性的下一代显示装置,它在视角、对比度、响应速度和功耗方面具有比液晶显示器更好的特性,并且由于不需要背光而能被制造得薄且轻质。
以下,将参照图1至图3描述有机发光显示装置的结构和有机发光显示装置的制造方法。在图1至图3中,将在图1或图2中向上发射光的前侧发射型有机发光显示装置作为示例来描述。图1和图2是有机发光显示装置的剖视图。图3是示出有机发光显示装置的制造方法的流程图。
参照图1,有机发光显示装置包括形成在下基板1上的阳极电极3、形成在阳极电极3上的有机层4以及顺序地堆叠在有机层4上的阴极电极5和上基板6。
有机层4包括顺序堆叠的空穴注入层4a、空穴传输层4b、发光层4c、电子传输层4d和电子注入层4e。
如上所述,从空穴注入层4a注入的空穴和从电子注入层4e注入的电子在发光层4c中结合而产生光,并且在图1中产生的光向上发射以穿过阴极电极5和上基板6,然后射出显示装置。
在这样的前侧发射型有机发光显示装置中,需要减小阴极电极5的厚度以改善透光性,如图2所示。然而,阴极电极5的厚度的减小使阴极电极5的电阻值增大,造成不均匀的亮度。
此外,如图3中所示,为了在有机发光显示装置的阴极电极5上实现用于包封的上基板6,应当执行附加的包封工艺。该附加的包封工艺增加了制造时间。
背景技术部分的前述讨论是为了提供大体的背景信息,并不构成现有技术的范围。
发明内容
本发明的多个方面提供了一种包括具有高透光性和低电阻值的阴极电极的前侧发射型有机发光显示装置。
本发明的多个方面也提供了可以在形成阴极电极之后不需要附加包封工艺也能制造的前侧发射型有机发光显示装置。
然而,本发明的多个方面不限于此处所阐述的一个方面。通过参照下文给出的详细描述,对于本发明所属领域的普通技术人员而言,本发明的上述和其它方面将变得更加明显。
根据本发明的一方面,提供了一种前侧发射型有机发光显示装置,所述前侧发射型有机发光显示装置包括:基板;阳极电极,形成在基板上方;有机层,形成在阳极电极上方;阴极电极,形成在有机层上方;一对透明导电氧化物层,设置在阴极电极上方;以及金属层,置于所述一对透明导电氧化物层之间。
根据本发明的另一方面,提供了一种前侧发射型有机发光显示装置,所述前侧发射型有机发光显示装置包括:基板;阳极电极,形成在基板上方;有机层,形成在阳极电极上方;阴极电极,形成在有机层上方;多个透明导电氧化物层,电连接到阴极电极;以及多个金属层,电连接到所述多个透明导电氧化物层,其中,多个透明导电氧化物层和多个金属层交替地堆叠以形成设置在阴极电极上方的多个透明导电氧化物层和多个金属层的堆叠件,其中,所述多个透明导电氧化物层中的一个设置在所述堆叠件的顶部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的