[发明专利]前侧发射型有机发光显示装置及其制造方法无效
申请号: | 201210019703.X | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN102655162A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 李昌浩;高熙周;宋炯俊;吴一洙;尹振渶;李宝罗;赵世珍;宋英宇;李钟赫;金圣哲 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种前侧发射型有机发光显示装置,所述前侧发射型有机发光显示装置包括:
基板;
阳极电极,形成在基板上方;
有机层,形成在阳极电极上方;
阴极电极,形成在有机层上方;
一对透明导电氧化物层,设置在阴极电极上方;以及
金属层,置于所述一对透明导电氧化物层之间。
2.一种前侧发射型有机发光显示装置,所述前侧发射型有机发光显示装置包括:
基板;
阳极电极,形成在基板上方;
有机层,形成在阳极电极上方;
阴极电极,形成在有机层上方;
多个透明导电氧化物层,电连接到阴极电极;以及
多个金属层,电连接到所述多个透明导电氧化物层,
其中,所述多个透明导电氧化物层和所述多个金属层交替地堆叠以形成设置在阴极电极上方的所述多个透明导电氧化物层和所述多个金属层的堆叠件,其中,所述多个透明导电氧化物层中的一个设置在所述堆叠件的顶部。
3.根据权利要求1或2所述的前侧发射型有机发光显示装置,其中,所述有机层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
4.根据权利要求3所述的前侧发射型有机发光显示装置,其中,所述有机层还包括辅助空穴传输层。
5.根据权利要求1或2所述的前侧发射型有机发光显示装置,其中,每个透明导电氧化物层包含从基于氧化铟的材料和基于氧化锌的材料中选择的一种或多种材料。
6.根据权利要求1或2所述的前侧发射型有机发光显示装置,其中,所述金属层由透光率为80%或更高的金属制成。
7.根据权利要求1或2所述的前侧发射型有机发光显示装置,其中,所述金属层由银制成。
8.根据权利要求1或2所述的前侧发射型有机发光显示装置,所述前侧发射型有机发光显示装置还包括位于基板和阳极电极之间的反射膜。
9.一种前侧发射型有机发光显示装置,所述前侧发射型有机发光显示装置包括:
基板,具有像素区、晶体管区和电容器区;
薄膜晶体管,形成在晶体管区上;
阴极电极,形成在薄膜晶体管上方;
多个透明导电氧化物层,电连接到阴极电极;以及
多个金属层,电连接到多个透明导电氧化物层,
其中,所述多个透明导电氧化物层和所述多个金属层交替地堆叠以形成设置在阴极电极上方的所述多个透明导电氧化物层和所述多个金属层的堆叠件,其中,所述多个透明导电氧化物层中的一个设置在所述堆叠件的顶部。
10.根据权利要求9所述的前侧发射型有机发光显示装置,其中,所述多个透明导电氧化物层中的每个包含从基于氧化铟的材料和基于氧化锌的材料中选择的一种或多种材料。
11.根据权利要求9所述的前侧发射型有机发光显示装置,其中,所述金属层由透光率为80%或更高的金属制成。
12.根据权利要求9所述的前侧发射型有机发光显示装置,其中,所述金属层由银制成。
13.一种制造前侧发射型有机发光显示装置的方法,所述方法包括:
提供下基板;
限定下基板的薄膜晶体管区、电容器区和像素区;
在设置在像素区上方的阳极电极上方形成有机层;
在有机层上方形成阴极电极;
在阴极电极上方顺序地提供透明导电氧化物层和金属层;以及
在金属层上方形成另外的透明导电氧化物层。
14.一种制造前侧发射型有机发光显示装置的方法,所述方法包括:
提供下基板;
限定下基板的薄膜晶体管区、电容器区和像素区;
在设置在像素区上方的阳极电极上方形成有机层;
在有机层上方形成阴极电极;
在阴极电极上方交替地堆叠多个透明导电氧化物层和多个金属层以形成堆叠件;以及
在所述多个透明氧化物层和所述多个金属层的所述堆叠件上方形成另外的透明导电氧化物层。
15.根据权利要求13或14所述的方法,其中,形成有机层的步骤包括顺序地形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的