[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，包括：

在基板上形成多个磊晶材料层，该多个磊晶材料层依序包括缓冲层、n型半导体层、发光层、和p型半导体层；

在该p型半导体层的上表面形成透明导电层；

对于该透明导电层以自氧化蚀刻技术进行粗糙化处理，使该透明导电层具有粗糙表面；和

形成多个电极。

2.如权利要求1所述的方法，其中该多个磊晶材料层由氮化铝铟镓Al_xIn_yGa_1-x-yN化合物组成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

3.如权利要求1所述的方法，其中该透明导电层选自氧化镓、氧化铝、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、未掺杂的氧化锌、掺杂的氧化锌。

4.如权利要求1所述的方法，其中该透明导电层选自镍、金、钯、铂、钌、铱、铬或它们的合金的薄膜。

5.如权利要求1所述的方法，其中该自氧化蚀刻技术是以直接以干蚀刻或湿蚀刻方式，去除透明导电层表面分子层。

6.如权利要求5所述的方法，其中该分子层是透明导电层表面经氧化或其它化学反应而形成。

7.如权利要求5所述的方法，其中该干蚀刻包括等离子体蚀刻、激光蚀刻、离子束蚀刻、溅镀蚀刻、反应性离子蚀刻或感应耦合等离子体离子蚀刻等方式。

8.如权利要求5所述的方法，其中该湿蚀刻是以酸溶液或碱溶液作为蚀刻剂。

9.如权利要求8所述的方法，其中该酸溶液选自硫酸、磷酸、硝酸、亚硝酸、亚磷酸、盐酸、醋酸、碳酸、硼酸、甲酸、碘酸、草酸、氯化铁、氢氟酸、硫化氢、亚硫酸、氟磺酸、烷基磺酸、氧化物蚀刻剂中一种或多种组合。

10.如权利要求8所述的方法，其中该碱溶液选自氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙、四甲基铵氢氧化物、氢氧化铵、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾、氢氧化钡中一种或多种组合。

11.如权利要求1所述的方法，其中该多个电极中之一为穿过该透明导电层的通孔与该p型半导体层接触。

12.一种发光二极管，包括：

多个磊晶材料层，该多个磊晶材料层依序包括缓冲层、n型半导体层、发光层、和p型半导体层，其中该多个磊晶材料层以第三族氮化合物组成；

与该p型半导体层接触的透明导电层，其中该透明导电层具有以自氧化蚀刻技术形成的粗化表面；及

多个电极。

13.如权利要求12所述的方法，其中该第三族氮化合物为氮化铝铟镓Al_xIn_yGa_1-x-yN化合物，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

14.如权利要求12所述的发光二极管，其中该粗化表面具有任意图案。

15.如权利要求12所述的发光二极管，其中该多个电极中之一为穿过该透明导电层的通孔与该p型半导体层接触。