[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件包括：

层叠结构体，包括：

第一导电类型的第一半导体层，具有第一部分和第二部分，所述第二部分在平行于所述第一半导体层的层表面的面中与所述第一部分并置，

在所述第二部分上提供的发光层，以及

在所述发光层上提供的第二导电类型的第二半导体层；

第一电极，包括设置在所述第一部分上并与所述第一半导体层接触的接触部件；

第二电极，包括：

第一部件，设置在所述第二半导体层上并与所述第二半导体层接触，以及

第二部件，与所述第一部件电连接并包括当从所述第一半导体层向所述第二半导体层的层叠方向看时覆盖所述接触部件的部分；以及

介电体部件，设置在所述接触部件和所述第二部件之间。

2.根据权利要求1的器件，还包括与所述第二部件电连续的支撑衬底，所述第二部分被设置在所述支撑衬底和所述第二半导体层之间。

3.根据权利要求2的器件，其中

从层叠方向上看，所述支撑衬底具有位于所述层叠结构体外部的边缘部件，

所述第一电极包括从所述接触部件延伸到所述边缘部件的引出部件，以及

所述引出部件包括衬垫电极。

4.根据权利要求3的器件，其中

所述第二电极包括接合金属部件；以及

所述支撑衬底被接合到所述接合金属部件。

5.根据权利要求1的器件，还包括与所述第一电极电连续并包含与所述第二部件平行设置的部件的衬垫电极。

6.根据权利要求1的器件，其中所述第二电极包括镀敷金属。

7.根据权利要求1的器件，其中

所述层叠结构体具有在所述第一半导体层一侧的第一主表面和在所述第二半导体层一侧的第二主表面，

所述发射层发射光，并且

从所述第一主表面离开到外部的光的量大于从所述第二主表面离开的光的量。

8.根据权利要求1的器件，其中所述第一半导体层、所述发光层以及所述第二半导体层包括氮化物半导体。

9.根据权利要求1的器件，其中

所述层叠结构体具有在所述第一半导体层一侧的第一主表面和在所述第二半导体层一侧的第二主表面，

所述层叠结构体具有从所述第二主表面到达所述第一主表面的凹面部件；以及

所述第一电极与在所述凹面部件的底面处的所述第一半导体层接触。

10.根据权利要求1的器件，其中所述第二部件沿所述层叠结构体的所述第二主表面延伸。

11.根据权利要求1的器件，其中

通过晶体生长在所述第一半导体层上形成所述发光层，并且

通过晶体生长在所述发光层上形成所述第二半导体层。

12.根据权利要求1的器件，其中所述第一电极包括铝。

13.根据权利要求1的器件，其中所述第二电极包括银。

14.根据权利要求1的器件，其中

所述层叠结构体具有在所述第一半导体层一侧的第一主表面和在所述第二半导体层一侧的第二主表面，

所述第一半导体层包括在所述第一主表面上提供的不平坦部件，

所述不平坦部件具有比从所述发光层发射的光的峰值波长更长的节距。

15.根据权利要求14的器件，其中所述光的峰值波长不小于370纳米且不大于400纳米。

16.根据权利要求14的器件，其中在所述不平坦部件中的凸起的形状从所述层叠方向看是六角形。

17.根据权利要求16的器件，其中所述六角形沿垂直于所述层叠方向的方向的最大宽度不小于所述峰值波长的两倍。

18.根据权利要求14的器件，其中通过对所述第一半导体层进行碱性蚀刻形成所述不平坦部件。

19.根据权利要求14的器件，其中在所述不平坦部件中的所述凸起被形成为六面锥形。

20.根据权利要求14的器件，其中

所述第一半导体层包括氮化镓；以及

沿所述氮化镓的面方向形成所述不平坦部件。