[发明专利]分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210010923.6 | 申请日： | 2012-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102569403A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王颖;胡海帆;焦文利;曹菲 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分裂 沟槽 功率 mos 器件 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构，包括栅引出电极(101)、栅电极下部悬浮多晶硅电极(102)、厚氧化层(103)、栅电极连接金属(104)、源电极(105)、漂移区(N-)(106)、漏电极(107)；其特征是：栅电极引出电极(101)、栅电极下部悬浮多晶硅电极(102)和厚氧化层(103)组合结构构成器件终端且在相同掩膜板及相同工艺中形成。
2.一种分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构的制造方法，其特征是：在N+衬底上外延生长N-区及P体区，然后利用掩膜板(1)生成深沟槽，并淀积厚氧化层及掺杂多晶硅，进行多晶硅和二氧化硅的回刻蚀，干氧生成栅氧化层，并淀积掺杂多晶硅形成分裂栅结构，淀积氮化硅；利用掩膜板(2)刻蚀掉有源区的氮化硅后，对多晶硅进行回刻蚀；去除氮化硅后，角度离子注入N+，形成源电极，并淀积氮化硅，利用掩膜板(3)刻蚀出源电极和栅引出电极的接触孔，离子注入P+后，淀积金属；利用掩膜板(4)分离源电极和栅引出电极；利用掩膜板(5)进行表面钝化、光刻压焊点、刻蚀钝化层，背面减薄，背面金属化。
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