[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基板中形成沟槽；

利用第一半导体材料部分地填充所述沟槽；

沿所述第一半导体材料的表面形成界面；以及

利用第二半导体材料填充所述沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中沿所述第一半导体材料的表面形成所述界面包括在所述第一半导体材料的表面上形成薄层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述薄层的厚度小于2 nm。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述薄层是氧化硅或氮化硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中沿所述第一半导体材料的表面形成所述界面包括在所述第一半导体材料的表面上形成晶界。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括在形成所述第二半导体材料之前、期间或之后在约800 ℃或更高的温度之上使所述第一半导体材料退火。

7.根据权利要求2所述的方法，进一步包括在约900 ℃的温度之上使所述薄隔离层退火。

8.根据权利要求1所述的方法，其中利用所述第一半导体材料部分地填充所述沟槽以及利用所述第二半导体材料填充所述沟槽包括沉积无定形硅或多晶硅。

9.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述薄隔离层包括使用O₂或N₂O沉积或生长氧化物或者使用NH₃形成氮化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中利用所述第一半导体材料部分地填充所述沟槽包括利用所述第一半导体材料全部覆盖所述沟槽的侧壁和底表面。

11.一种半导体器件，包括：

沿沟槽的侧壁布置的第一电极；

布置在所述第一电极上的电介质；以及

至少部分地填充所述沟槽的第二电极，其中所述第二电极包括所述第二电极内的界面。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述界面包括氮化硅或氧化硅的薄层。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中氮化硅或氧化硅的薄层小于2 nm厚。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中氧化硅的薄层形成不连续的层，所述不连续的层形成岛状物。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一电极和所述第二电极包括掺杂的多晶硅。

16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中在所述第二电极中层叠具有多个氮化硅或氧化硅的薄层。

17.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述界面包括晶界。

18.一种电容器阵列，包括：

多个沟槽电容器，其中每个沟槽电容器包括第一电极、第二电极和电容器电介质，

其中所述第一电极在沟槽的侧壁中或者在沟槽的侧壁上形成，

其中所述电容器电介质在所述第一电极上形成，

其中所述第二电极在所述电容器电介质上形成，并且

其中所述第二电极包括孔隙停止界面。

19.根据权利要求18所述的电容器阵列，其中所述孔隙停止界面包括晶界。

20.根据权利要求18所述的电容器阵列，其中所述孔隙停止界面包括薄氧化物层或薄氮化物层。