[发明专利]封装基板的制法有效
申请号: | 201210008727.5 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN103208429A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 颜立盛;王道子 | 申请(专利权)人: | 联致科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 制法 | ||
技术领域
本发明涉及一种封装基板的制法,尤指一种利于产品薄化的封装基板的制法。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展,电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化(miniaturization)的封装需求,朝着降低承载芯片的封装基板的厚度发展。目前用于承载芯片的封装基板可分为硬质材与软质材,一般用于球栅阵列封装(Ball Grid Array,BGA)的封装基板是选择硬质材。
请参阅图1A至图1C,其为现有双层线路的封装基板1的制法的剖面示意图。
如图1A所示,首先,提供两芯层10,各该芯层10具有相对的第一表面10a与第二表面10b,且该芯层10的第一与第二表面10a,10b上分别具有一第一金属层11a与一第二金属层11b,又该芯层10具有连通该第一及第二表面10a,10b的多个贯穿孔100。
如图1B所示,进行图案化工艺,以借由该第一与第二金属层11a,11b(利用导电层12进行电镀金属),于该芯层10的第一及第二表面10a,10b上分别形成一第一及第二线路层13a,13b,且于该些贯穿孔100中形成导电通孔14以电性连接该第一及第二线路层13a,13b,又该第一及第二线路层13a,13b分别具有多个第一及第二电性接触垫130a,130b。
如图1C所示,于该芯层10的第一及第二表面10a,10b上分别形成一第一及第二绝缘保护层15a,15b,且该第一及第二绝缘保护层15a,15b分别具有多个第一及第二开孔150a,150b,以令该些第一及第二电性接触垫130a,130b对应外露出各该第一及第二开孔150a,150b。接着,于该些第一及第二电性接触垫130a,130b的外露表面上分别形成一第一及第二表面处理层16a,16b。
于后续工艺中,通过于该第二绝缘保护层15b上承载芯片并进行封装工艺,以制成封装结构。为了符合微小化与可靠度的需求,于目前工艺技术中,该芯层10的厚度S可缩小至60μm。
然而,随着微小化的需求增加,厚度S为60μm的芯层10已无法满足现今对封装件微小化的需求,但若使该芯层10的厚度S小于60μm,则该封装基板1的厚度R将小于150μm,导致该封装基板1于运送时或封装时将因太薄而容易破裂,导致无法使用或产品不良。
因此,如何克服上述现有技术无法同时满足产品微小化与可靠度的需求的技术瓶颈,实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的种种缺失,本发明的主要目的在于提供一种封装基板的制法,以避免于运送时或封装时因太薄而破裂。
本发明所提供的封装基板的制法包括:提供两芯层,各该芯层具有相对的第一与第二表面;借由连接件连接该两芯层的第二表面;于各该第一表面上形成第一线路层;于各该第一表面与第一线路层上形成第一绝缘保护层,且外露该第一线路层的部分表面;于各该第一绝缘保护层上借由粘着层结合一承载件;移除该连接件,以分离出两基板本体;形成贯穿该芯层的贯穿孔,以令该第一线路层外露于该贯穿孔;形成第二线路层于该第二表面上,且于该贯穿孔中形成导电通孔以电性连接该第一及第二线路层;于该第二表面与第二线路层上形成第二绝缘保护层,且外露该第二线路层的部分表面。
依上述制法,可于制作该第二线路层的前,先将该两基板本体的承载件借由结合件相迭接。
前述的制法中,制成该粘着层的材质可为强力胶或离型剂,且制成该承载件的材质可为耐高温材。
前述的制法中,各该芯层的第一与第二表面上可具有金属层,以借该金属层分别形成该第一及第二线路层。
另外,前述的制法可包括形成表面处理层于该第一及第二线路层的外露表面上。
由上可知,本发明的封装基板的制法,借由在该封装基板的第一绝缘保护层上结合承载件,以避免于运送时或封装时因太薄而破裂。此外,于封装后再移除该承载件,此时的封装基板的厚度小于150μm,所以相比于现有技术,可降低封装结构的整体厚度。因此,借由本发明的封装基板的制法可同时满足产品微小化与可靠度的需求。
附图说明
图1A至图1C为现有双层线路的封装基板的制法的剖视示意图;
图2A至图2J为本发明封装基板的制法的剖视示意图;图2F’为图2F的另一实施例;以及
图3A至图3C为本发明封装基板的制法的另一实施例的剖视示意图。
主要组件符号说明
1,2 封装基板
10,20 芯层
10a,20a 第一表面
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造