[发明专利]移动的、可运输的静电衬底保持设备有效
申请号: | 201180059882.3 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN103392227A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | F.施瓦茨 | 申请(专利权)人: | 曼兹股份公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677;H01L21/687;H02N13/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;刘春元 |
地址: | 德国罗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移动 运输 静电 衬底 保持 设备 | ||
1. 用于薄的片状工件以及在高温下使用的移动的、可运输的静电衬底保持设备(1;11),该静电衬底保持设备具有衬底保持器(2;20;30;40;50)以及用于衬底保持器(2;20;30;40;50)的载体(3),所述衬底保持器包括至少一个包括电极对(31.1,31.2,32.1,32.2,33.1,33.2,34.1,34.2;41.1,41.2,42.1,42.2,43.1,43.2,44.1,44.2)的保持装置(31,32,33,34;41,42,43,44),其中衬底保持器(2;20;30;40;50)经由至少一个侧边缘(2a,2b,2c,2d)至少最大程度热去耦地与所述载体(3)机械连接。
2. 根据上述权利要求之一的衬底保持设备,其中衬底保持器(2,20,30,40;50)通过一个或多个、具有热绝缘材料的接片(4,5)与载体(3)连接。
3. 根据上述权利要求之一的衬底保持设备,其中载体(3)具有自己的储能装置,该储能装置具有电荷存储器,并且载体(3)能够与至少一个保持装置(31,32,33,34;41,42,43,44)电连接。
4. 根据权利要求3的衬底保持设备,其特征在于,载体(3)具有电路,以便转换在至少一个保持装置(31-34,41-44)处的电压和/或进行受控的接通和关断。
5. 根据权利要求3或4的衬底保持设备,其特征在于,保持装置(31,32,33,34;41,42,43,44)和载体(3)之间的电连接至少局部地被热绝缘材料包围。
6. 根据权利要求3至5之一的衬底保持设备,其特征在于,电荷存储器或与其连接的电路被构造为用于对至少一个保持装置(31,32,33,34;41,42,43,44)的电极(31.1,31.2,32.1,32.2,33.1,33.2,34.1,34.2;41.1,41.2,42.1,42.2,43.1,43.2,44.1,44.2)进行非对称的电势供应。
7. 根据上述权利要求之一的衬底保持设备,其特征在于,载体(3)构造为框形。
8. 根据上述权利要求之一的衬底保持设备,其特征在于,载体(3)构成为插座。
9. 根据上述权利要求之一的衬底保持设备,其特征在于,载体(3)具有电接触部位和/或用于电感式能量传输的装置。
10. 根据上述权利要求之一的衬底保持设备,其特征在于,衬底保持器(2,20,30,40;50)具有多个保持装置(31,32,33,34;41,42,43,44)。
11. 根据权利要求10的衬底保持设备,其特征在于,多个保持装置(31,32,33,34)并行地连接到同一个电荷存储器,或者每个保持装置(41,42,43,44)连接到自己的电荷存储器。
12. 根据上述权利要求之一的衬底保持设备,其特征在于,一个或多个保持装置(31,32,33,34;41,42,43,44)的电极的连接端在衬底保持器(2,20,30,40;50)的正面上向外引出,或者通过孔洞或者围绕衬底保持器(2,20,30,40;50)的棱边引出到衬底保持器(2,20,30,40;50)的背面上。
13. 根据上述权利要求之一的衬底保持设备,其特征在于,多个保持装置(31,32,33,34;41,42,43,44)在衬底保持器(2;20;30;40;50)内或在衬底保持器(2;20;30;40;50)上相互连接。
14. 根据上述权利要求之一的衬底保持设备,其中至少一个保持装置(31,32,33,34;41,42,43,44)平放地布置在衬底保持器(2;20;30;40;50)的平坦的平面中,其中衬底保持器的平坦的平面在侧面由至少一个侧边缘(2a,2b,2c,2d)限制。
15. 根据上述权利要求之一的衬底保持设备,其中衬底保持器(50)在正面(12)上以及在背离正面的背面(13)上分别具有至少一个保持装置(31,32,33,34;41,42,43,44)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造