[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法以及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有包含氧化物半导体层的薄膜晶体管（Thin Film Transistor：TFT）的半导体装置和这种半导体装置的制造方法以及液晶显示装置。

背景技术

近年来，具有含有In（铟）、Zn（锌）或Ga（镓）等的氧化物半导体层的TFT的开发被广泛进行（例如专利文献1）。具有氧化物半导体层的TFT（以下成为氧化物半导体TFT）具有迁移率高的特性。

在专利文献1中公开了一种液晶显示装置，其以覆盖氧化物半导体层的方式形成具有使可见光的光强度衰减的功能的遮光层，使氧化物半导体TFT的动作特性稳定。进一步，专利文献1还公开了在层间膜的一部分形成上述遮光层的液晶显示装置。

另外，在专利文献2和3中公开了在阵列基板形成黑矩阵（BM），增大开口率的液晶显示装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-156960号公报

专利文献2：日本特开2001-33816号公报

专利文献3：日本特开平10-186408号公报

专利文献4：日本特开2003-140189号公报

专利文献5：日本特开2009-151204号公报

专利文献6：日本特开2010-181838号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，在专利文献1中公开的在层间膜的一部分形成有遮光层的液晶显示装置中，存在因遮光层的形状使得液晶层的液晶分子的取向紊乱，导致产生显示不良这样的问题。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供不容易产生由光引起的TFT特性的变化、显示品质不下降的半导体装置和这种半导体装置的制造方法以及液晶显示装置。

解决技术问题的技术方案

本发明的实施方式中的半导体装置具有：基板；具有由上述基板支承的源极电极、漏极电极和氧化物半导体层的薄膜晶体管；形成在上述薄膜晶体管上的第一绝缘层；形成在上述第一绝缘层上的具有第一开口部或第一凹部的第二绝缘层；和以从上述基板的法线方向看时与上述氧化物半导体层重叠的方式形成的第一遮光层，上述第一遮光层形成于上述第一开口部或第一凹部，上述第一遮光层的上表面具有凸状的曲面，并且，上述第二绝缘层的上表面与上述第一遮光层的上表面相比位于上述基板侧。

在某实施方式中，上述第二绝缘层的上表面与上述第一遮光层的上表面的最顶部的距离大于0nm且为1500以下。

在某实施方式中，上述第一遮光层由黑色树脂形成。

在某实施方式中，上述半导体装置具有：与上述源极电极电连接的源极配线；和以从上述基板的法线方向看时与上述源极配线重叠的方式形成的第二遮光层，上述第二绝缘层还具有上述第二开口部或第二凹部，上述第二遮光层形成于上述第二开口部或上述第二凹部，上述第二遮光层的上表面具有凸状的曲面，并且，上述第二绝缘层的上表面与上述第二遮光层的上表面相比位于上述基板侧。

在某实施方式中，上述第二绝缘层的上表面与上述第二遮光层的上表面的最顶部的距离大于0nm且为1500nm以下。

在某实施方式中，上述第二遮光层由黑色树脂形成。

在某实施方式中，上述半导体装置具有形成在上述第二绝缘层上的导电层，上述第二绝缘层与上述第一遮光层相互接触而形成第一界面，上述第二绝缘层与上述第二遮光层相互接触而形成第二界面，上述第一界面或上述第二界面中的至少一部分位于上述导电层之下。

在某实施方式中，上述半导体装置具有与上述漏极电极电连接的漏极配线，上述源极配线和上述漏极配线形成在由与形成上述氧化物半导体层的材料相同的材料形成的层上。

在某实施方式中，上述氧化物半导体层包含In、Ga和Zn。

在某实施方式中，上述第二绝缘层具有拨油性（疏油性）。

本发明的实施方式中的液晶显示装置具有上述半导体装置。