[发明专利]具有SiGe沟道的pFET结分布的结构和方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

提供结构，所述结构包括Si衬底12、位于所述Si衬底的上表面上的N或C掺杂的Si层16和位于所述N或C掺杂的Si层的上表面上的SiGe沟道层14；

在所述SiGe沟道层的上表面上形成pFET栅极堆叠18；以及

通过p型掺杂剂的离子注入，在所述SiGe层的一部分中、在所述N或C掺杂的Si层16’的一部分中和在所述pFET栅极堆叠的占用区域处形成源极区域和漏极区域26，其中所述源极区域和所述漏极区域具有突变结分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供结构包括：

在所述Si衬底的上表面上形成所述SiGe层，然后通过向所述Si衬底的所述上区域16’中注入N或C，在所述Si衬底12的上部部分内形成所述N或C掺杂的层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述在所述Si衬底的上表面上形成所述SiGe层包括外延生长工艺并且所述SiGe层是应变的。

4.根据权利要求2所述的方法，其中使用从1e12原子/cm²到5e15原子/cm²的离子剂量在范围从2keV到10keV的能量下执行所述注入N或C。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供结构包括：

在所述Si衬底的上表面上形成所述N或C掺杂的Si层，然后在所述N或C掺杂的Si层的上表面上形成所述SiGe沟道层14。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述形成所述N或C掺杂的Si层和形成所述SiGe沟道层都包括外延生长工艺。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在形成所述N或C掺杂的Si层和形成所述SiGe沟道层期间保持真空。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供结构包括：

在所述Si衬底的上部区域内形成所述N或C掺杂的Si层，然后在所述N或C掺杂的Si层16的上表面上形成所述SiGe沟道层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述形成所述N或C掺杂的Si层包括：

向所述Si衬底的所述上部区域中离子注入N或C。

10.根据权利要求9所述的方法，其中使用从1e12原子/cm²到5e15原子/cm²的离子剂量在范围从2keV到10keV的能量下执行所述注入N或C。

11.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述SiGe沟道层包括外延生长工艺。

12.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供结构，所述结构包括位于Si衬底12的表面上的SiGe沟道层14；

在所述SiGe沟道层的一部分上形成pFET栅极堆叠；

在所述Si衬底的上部区域处并且在所述pFET栅极堆叠的占用区域处执行晕圈离子注入工艺，其中N或C与晕圈离子共同注入以形成N或C掺杂的Si层16’；以及

通过p型掺杂剂的离子注入，在所述SiGe层14的一部分中、在所述N或C掺杂的Si层16’的一部分中和在所述pFET栅极堆叠的占用区域处形成源极区域和漏极区域26，其中所述源极区域和所述漏极区域26具有突变结分布。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述提供结构包括：

在所述Si衬底的所述表面上外延生长所述SiGe沟道层。

14.根据权利要求12所述的方法，其中从所述Si衬底的垂直方向以从15°到45°的角度执行所述晕圈离子注入。

15.根据权利要求12所述的方法，其中以从5keV到30keV的能量执行所述晕圈离子注入。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述晕圈离子注入包括从原子/cm²到1e12原子/cm²的N或C剂量以及从5e12原子/cm²到1e14原子/cm²的晕圈离子剂量。