[实用新型]等离子体增强化学气相沉积设备有效
| 申请号： | 201120376596.7 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN202246858U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 张金中 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 化学 沉积 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括：腔体，所述腔体内设有承载被淀积基板的下电极和包括气体扩散器的上电极，其特征在于：所述腔体内设有丝网，所述丝网位于所述气体扩散器的近下电极侧。
2.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于：所述下电极和所述上电极间的距离为1400-1700mils。
3.根据权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于：所述丝网边缘设有网框，所述网框通过支架与腔体连接；所述丝网中部通过固定物与扩散器连接。
4.根据权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于：所述丝网表面覆盖有保护层。
5.根据权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于：所述丝网网孔的密度为5.5-15.5ea/cm2，网孔的面积为0.03～0.09cm2。
6.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于：所述气体扩散器上设有气流加速单元。
7.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于：还包括保持所述腔体内气压稳定的抽气单元。
8.根据权利要求7所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于：所述抽气单元为抽气泵。
9.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于：所述丝网的网丝表面覆盖一层保护陶瓷。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
