[实用新型]利用掺杂稀土元素的透明陶瓷为基座的LED封装结构有效
| 申请号： | 201120307560.3 | 申请日： | 2011-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN202474015U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 曹永革;刘著光;黄秋凤;邓种华;王充;兰海;王方宇;王文超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 掺杂 稀土元素 透明 陶瓷 基座 led 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用稀土掺杂的透明陶瓷作为LED封装基座的双面发射白光的LED封装结构，其特征在于，蓝光LED芯片采用固晶方式固定于已经图案化电极的稀土掺杂的透明陶瓷基座上，并用金线或铝线与基座电极形成电连接；在所述的LED芯片与基座上方覆盖有保护LED芯片与电连接线的密封物。
2.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述稀土离子掺杂的透明陶瓷基座，使用稀土离子掺杂的透明陶瓷，陶瓷在大于绿光波长的区域的透过率均大于≥50%。
3.根据权利要求2所述的LED封装结构，其特征在于：所述的透明陶瓷上的图案化电极采用网印方式印刷或应用光刻技术制备。
4.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述的蓝光LED芯片采用透明固晶胶固定于透明陶瓷基座之上，并用金线或铝线与基座电极形成电连接。
5.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：透明陶瓷基座具有高的绝缘性，其击穿电场大于4000Vcm-1。
6.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：透明陶瓷基座的热导率大于10W/mK。
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