[发明专利]等离子显示屏及其制作方法

权利要求书

1.一种等离子显示屏，包括相互封接的前基板部(1)和后基板部(2)，其特征在于，所述前基板部(1)的前基板(14)为透明的聚酰亚胺类薄膜，所述后基板部(2)的后基板(24)为聚酰亚胺类薄膜。

2.根据权利要求1所述的等离子显示屏，其特征在于，所述前基板(14)和所述后基板(24)的厚度为25～125μm，所述聚酰亚胺类薄膜为单面热塑性的聚酰亚胺类薄膜，其中，所述聚酰亚胺类薄膜的一面在330～360℃下有粘性，另一面在500℃以下均没有粘性，介电强度在300KV/mm以上。

3.根据权利要求2所述的等离子显示屏，其特征在于，所述前基板部(1)和所述后基板部(2)的介质层的厚度为25～50μm，所述介质层为聚酰亚胺类薄膜，所述聚酰亚胺类薄膜为双面热塑性的聚酰亚胺类薄膜，其中，所述聚酰亚胺类薄膜的双面在330～380℃下有粘性，介电强度在250KV/mm以上。

4.根据权利要求3所述的等离子显示屏，其特征在于，所述前基板部的介质层为透明的聚酰亚胺类薄膜。

5.一种如权利要求1-4中任一项所述的等离子显示屏的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

1)将前基板部介质层(11)和后基板部介质层(21)对合封接，分别在对合封接后的前基板部介质层(11)和后基板部介质层(21)的外表面制作汇流电极(13)和寻址电极(23)，在所述汇流电极(13)上帖敷前基板(14)，在所述寻址电极(23)上帖敷后基板(24)，形成所述等离子显示屏；或者

2)分别在所述前基板部介质层(11)和后基板部介质层(21)的外表面制作汇流电极(13)和寻址电极(23)，在所述汇流电极(13)上帖敷前基板(14)，形成所述前基板部(1)，在所述寻址电极(23)上帖敷后基板(24)，形成所述后基板部(2)，将所述前基板部(1)和所述后基板部(2)对合封接，形成所述等离子显示屏。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述方法1)的对合封接之前和所述方法2)的帖敷基板之后，还包括以下步骤：

在前基板部介质层(11)上蒸镀形成氧化镁层(12)；

在后基板部介质层(21)上帖敷障壁预制体，形成障壁(22)，其中，所述障壁预制体包括陶瓷障壁预制体、超薄玻璃障壁预制体和殷钢障壁预制体；以及

在所述障壁(22)的凹槽内表面形成荧光粉层(25)。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述基板的帖敷方法为高温膜压工艺，膜压温度为330～360℃。

8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述汇流电极(13)和所述寻址电极(23)的制作方法包括：

A.采用磁控溅射镀Cr-Cu-Cr，然后刻蚀出电极图形；

B.采用高温膜压工艺将金属箔帖敷在介质层上，帖敷感光性干膜保护所述金属箔，曝光，显影，对金属箔进行化学刻蚀，刻蚀完成后，再对感光性干膜进行剥膜，得到所述汇流电极和所述寻址电极，其中，膜压温度330-360℃，所述金属箔为铜、铝、银和金中的任一种。

9.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述方法1)的对合封接包括：将所述前基板介质层(11)和所述后基板介质层(21)对合后，置于惰性气氛环境中进行封接，控制封接温度在330～380℃之间，向前基板部介质层(11)和后基板部介质层(21)的边缘未加工部分加压，使所述未加工部分粘结。

10.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述方法2)的对合封接包括：

a.喷涂制作封接框，将所述前基板部(1)和所述后基板部(2)对合后，置于惰性气氛环境中进行封接，将所述前基板部和所述后基板部在惰性气氛中封接，其中，封接料为有机材料，封接温度以有机材料的软化温度为准，所述有机材料为热塑型树脂，选自由PE-聚乙烯、PVC-聚氯乙烯、PS-聚苯乙烯、PA-聚酰胺、POM-聚甲醛、PC-聚碳酸酯、聚苯醚、聚砜和橡胶组成的组中的任一种；或者

b.将所述前基板部(1)和所述后基板部(2)对合后，置于惰性气氛环境中进行封接，控制封接温度在330～380℃之间，向前基板部介质层(11)和后基板部介质层(21)的边缘未加工部分加压，使所述未加工部分粘结。