[发明专利]铜互连的制作方法有效
| 申请号： | 201110457762.0 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187363A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 制作方法 | ||
1.一种铜互连的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上依次沉积第一刻蚀停止层和低介电常数薄膜；
形成贯穿低介电常数薄膜和第一刻蚀停止层的多个通孔或沟槽；
在通孔或沟槽内填充形成第一铜层；
采用强氧化性的酸去除部分第一铜层，以在各个通孔或沟槽顶部形成第一开口；
稀氢氟酸溶液各向同性刻蚀低介电常数薄膜，使各个第一开口横向扩大后形成第二开口；
在第二开口内填充形成第二铜层，所述第二铜层与第一铜层构成铜互连；
采用氢气等离子体去除低介电常数薄膜；
在铜互连上沉积第二刻蚀停止层，在相邻铜互连之间形成空腔。
2.根据权利要求1所述铜互连的制作方法，其特征在于：所述采用强氧化性的酸去除部分第一铜层，以在各个通孔或沟槽顶部形成第一开口的步骤中还包括对上述结构表面进行氧气等离子体处理，去除低介电常数薄膜表面的碳元素。
3.根据权利要求2所述铜互连的制作方法，其特征在于：所述氧气等离子体处理步骤的工艺条件为：
压强：0.5-7Torr；
功率：50-1000W；
氧气流量：50-1000sccm；
氦气流量：50-1000sccm。
4.根据权利要求1所述铜互连的制作方法，其特征在于：所述强氧化性的酸为硝酸。
5.根据权利要求1所述铜互连的制作方法，其特征在于：所述强氧化性的酸为稀硫酸和双氧水。
6.根据权利要求1所述铜互连的制作方法，其特征在于：所述强氧化性的酸为盐酸和双氧水。
7.根据权利要求1所述铜互连的制作方法，其特征在于：所述低介电常数薄膜的材料为SiCOH。
8.根据权利要求1所述铜互连的制作方法，其特征在于：所述稀氢氟酸溶液中水和氢氟酸的体积比为300∶1-1000∶1。
9.根据权利要求1所述铜互连的制作方法，其特征在于：所述空腔顶部的宽度为10nm-300nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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