[发明专利]一种二极管芯片的酸洗工艺无效
| 申请号： | 201110436748.2 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102569065A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李述洲;王艳明;安国星 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所 50211 | 代理人： | 郭云 |
| 地址： | 405200 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 芯片 酸洗 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种二极管芯片的酸洗工艺，依次为混合酸清洗，酸与双氧水清洗，氨水与双氧水清洗，其特征在于：所述酸与双氧水的混合清洗液为双氧水，硫酸和纯水，所述双氧水，硫酸和纯水的体积比为1：1：15～30。
2.根据权利要求1所述的一种二极管芯片的酸洗工艺，其特征在于：所述双氧水，硫酸和纯水的体积比为1：1：30。
3.根据权利要求1所述的一种二极管芯片的酸洗工艺，其特征在于：所述酸与双氧水混合清洗液的配制为：先加入纯水，再加入双氧水，最后加入硫酸。
4.根据权利要求1所述的一种二极管芯片的酸洗工艺，其特征在于：所述硫酸的浓度为95%～98%，所述双氧水的浓度为35%～40%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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