[发明专利]一种具有应变结构的VDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有应变结构的VDMOS器件，特征在于，包括：

半导体材料，在所述半导体材料上形成有漏区、漂移区、重掺杂区、轻掺杂区、源区和JFET区；

栅介质及其上形成的栅极，所述栅介质和栅极形成在所述半导体材料之上；

绝缘应变层，所述绝缘应变层形成在所述栅介质和栅极之上，所述绝缘应变层的晶格与其下方的半导体材料不匹配，以在其下方的半导体材料中引入应力；

隔离介质，所述隔离介质形成在所述绝缘应变层之上；

金属通孔，所述金属通孔贯通至所述半导体材料表面，在所述金属通孔内形成有源区电极，所述源区电极与所述源区接触。

2.如权利要求1所述的具有应变结构的VDMOS器件，其特征在于，所述绝缘应变层为不连续的绝缘应变层。

3.如权利要求1或2所述的具有应变结构的VDMOS器件，其特征在于，所述绝缘应变层为绝缘体材料。

4.如权利要求3所述的具有应变结构的VDMOS器件，其特征在于，所述绝缘应变层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的具有应变结构的VDMOS器件，其特征在于，所述栅介质覆盖除金属通孔之外的半导体材料表面。

6.如权利要求1所述的具有应变结构的VDMOS器件，其特征在于，所述栅介质只位于所述栅极之下，其余区域的半导体材料表面直接覆盖有绝缘应变层。

7.如权利要求1所述的具有应变结构的VDMOS器件，其特征在于，所述栅极是间断的，所述绝缘应变层直接覆盖在所述JFET区之上。

8.如权利要求1所述的具有应变结构的VDMOS器件，其特征在于，所述重掺杂区、轻掺杂区、源区均为两个，所述栅极分为两段，所述每一段栅极覆盖于一个轻掺杂区之上并与轻掺杂区相邻的半导体材料有交叠。

9.一种制备具有应变结构的VDMOS器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供衬底，所述衬底为重掺杂，用于形成所述VDMOS器件的漏区；

S2：在所述衬底上外延形成外延层，所述外延层的掺杂与所述衬底相同，所述外延层为轻掺杂，用于形成所述VDMOS器件的漂移区；

S3：光刻，在掩膜掩蔽的情况下进行离子注入，注入类型与外延层相反，并扩散形成重掺杂区；

S4：光刻，在掩膜掩蔽的情况下进行离子注入，注入类型与外延层相反，并扩散形成轻掺杂区；

S5：光刻，在掩膜掩蔽的情况下进行离子注入，注入类型与外延层相同，并扩散形成源区；

S6：生长栅介质层；

S7：淀积形成栅极；

S8：刻蚀栅介质层，仅保留栅极下方的栅介质；

S9：淀积形成绝缘应变层；

S10：淀积形成隔离介质层；

S10：光刻，刻蚀形成金属通孔。

10.如权利要求9所述的制备具有应变结构的VDMOS器件的方法，其特征在于，在所述步骤S7后，光刻然后刻蚀位于JFET区上方的栅极，使栅极分为两段，每一段栅极覆盖于一个轻掺杂区之上并与轻掺杂区相邻的半导体材料有交叠。